প্লাজমা ইচ চেম্বারের জন্য উচ্চ-তাপমাত্রার SiC আবরণ

এপিটাক্সি এবং এমওসিভিডি-র মতো ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির ক্ষেত্রে, প্লাজমা ইচ চেম্বারের জন্য সেমিকোরেক্সের উচ্চ-তাপমাত্রা SiC আবরণ হল শীর্ষ পছন্দ। আমাদের বাহক আমাদের সূক্ষ্ম SiC ক্রিস্টাল আবরণের জন্য উচ্চতর তাপ প্রতিরোধ, এমনকি তাপ অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধের প্রদান করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

Semicorex-এ, আমরা উচ্চ-মানের ওয়েফার হ্যান্ডলিং সরঞ্জামের গুরুত্ব বুঝতে পারি। এই কারণেই আমাদের উচ্চ-তাপমাত্রার SiC আবরণ প্লাজমা ইচ চেম্বারের জন্য বিশেষভাবে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কারের পরিবেশের জন্য তৈরি করা হয়েছে। আমাদের ক্যারিয়ারগুলি এমনকি তাপীয় প্রোফাইল, ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহের ধরণ প্রদান করে এবং দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার রোধ করে।
প্লাজমা ইচ চেম্বারের জন্য আমাদের উচ্চ-তাপমাত্রা SiC আবরণ সম্পর্কে আরও জানতে আমাদের সাথে আজই যোগাযোগ করুন।

প্লাজমা ইচ চেম্বারের জন্য উচ্চ-তাপমাত্রার SiC আবরণের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300