এপিটাক্সিয়াল রিসিভার

সেমিকোরেক্স এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন উপাদান যা বিশেষভাবে সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রক্রিয়া চলাকালীন SiC ওয়েফারকে সমর্থন এবং ধরে রাখার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এই উন্নত সাসেপ্টরটি একটি উচ্চ-মানের গ্রাফাইট বেস থেকে তৈরি করা হয়েছে, যা সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর একটি স্তর দিয়ে লেপা, যা উচ্চ-তাপমাত্রার এপিটাক্সি প্রক্রিয়াগুলির কঠোর অবস্থার অধীনে ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা প্রদান করে। SiC আবরণ উপাদানের তাপ পরিবাহিতা, যান্ত্রিক শক্তি এবং রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়, সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার হ্যান্ডলিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চতর স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।

মূল বৈশিষ্ট্য

• উচ্চ তাপ পরিবাহিতা:SiC-কোটেড গ্রাফাইট উপাদান চমৎকার তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, যা এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া চলাকালীন ওয়েফার জুড়ে অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন বজায় রাখার জন্য অপরিহার্য। এটি সাবস্ট্রেটে SiC স্তরগুলির সর্বোত্তম বৃদ্ধি নিশ্চিত করে, তাপীয় গ্রেডিয়েন্ট হ্রাস করে এবং প্রক্রিয়ার সামঞ্জস্য বাড়ায়।
• উচ্চতর স্থায়িত্ব:SiC আবরণ উল্লেখযোগ্যভাবে তাপীয় শক এবং যান্ত্রিক পরিধানের প্রতিরোধ ক্ষমতা উন্নত করে, সাসেপ্টরের জীবনকালকে প্রসারিত করে। এটি উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে গুরুত্বপূর্ণ যেখানে উপাদানটিকে অবনতি ছাড়াই উচ্চ এবং নিম্ন তাপমাত্রার মধ্যে ক্রমাগত সাইক্লিং সহ্য করতে হবে।
• বর্ধিত রাসায়নিক প্রতিরোধের:SiC আবরণ রাসায়নিক ক্ষয়ের অসামান্য প্রতিরোধ প্রদান করে, বিশেষ করে প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস এবং উচ্চ তাপমাত্রার উপস্থিতিতে, এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলিতে সাধারণ। এটি সাসেপ্টরের নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়, এটি নিশ্চিত করে যে এটি সর্বাধিক চাহিদাযুক্ত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন পরিবেশে ব্যবহার করা যেতে পারে।
• মাত্রিক স্থিতিশীলতা:SiC আবরণ উচ্চতর তাপমাত্রায়ও চমৎকার মাত্রিক স্থিতিশীলতায় অবদান রাখে, বিকৃত বা বিকৃতির ঝুঁকি কমায়। এই বৈশিষ্ট্যটি নিশ্চিত করে যে সাসেপ্টর বর্ধিত ব্যবহারের উপর তার আকৃতি এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য বজায় রাখে, সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং নির্ভরযোগ্য ওয়েফার পরিচালনা প্রদান করে।
• যথার্থতা এবং অভিন্নতা:এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরটি সুনির্দিষ্ট ওয়েফার বসানো এবং সারিবদ্ধকরণ বজায় রাখার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া চলাকালীন ভুল সংযোজন রোধ করে। এই নির্ভুলতা SiC স্তরগুলির বৃদ্ধিতে অভিন্নতা নিশ্চিত করে, যা চূড়ান্ত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের কর্মক্ষমতার জন্য অপরিহার্য।
• কাস্টমাইজযোগ্যতা:এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর নির্দিষ্ট গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা যেমন আকার, আকৃতি এবং রাখা হবে এমন ওয়েফারের সংখ্যা মেটানোর জন্য তৈরি করা যেতে পারে, এটিকে বিস্তৃত এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টর এবং প্রক্রিয়াগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে অ্যাপ্লিকেশন

SiC আবরণ সহ Epitaxial Susceptor এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায় একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, বিশেষত উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-ভোল্টেজ সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত SiC ওয়েফারগুলির জন্য। এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায় নিয়ন্ত্রিত অবস্থার অধীনে একটি সাবস্ট্রেট ওয়েফারে উপাদানের একটি পাতলা স্তর, প্রায়শই SiC, জমা করা জড়িত। সাসেপ্টরের ভূমিকা হল এই প্রক্রিয়া চলাকালীন ওয়েফারটিকে সমর্থন করা এবং ধরে রাখা, এমনকি রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) গ্যাস বা বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত অন্যান্য অগ্রদূত উপকরণগুলির এক্সপোজার নিশ্চিত করা।

পারফরম্যান্সের সাথে আপস না করেই উচ্চ ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রার মতো চরম পরিস্থিতি সহ্য করার ক্ষমতার কারণে সিসি সাবস্ট্রেটগুলি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ক্রমবর্ধমানভাবে ব্যবহৃত হচ্ছে। এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরটি এপিটাক্সি প্রক্রিয়া চলাকালীন SiC ওয়েফারকে সমর্থন করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা সাধারণত 1,500 ডিগ্রি সেলসিয়াসের বেশি তাপমাত্রায় পরিচালিত হয়। সাসেপ্টরের উপর SiC আবরণ নিশ্চিত করে যে এটি উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে শক্তিশালী এবং দক্ষ থাকে, যেখানে প্রচলিত উপকরণগুলি দ্রুত ক্ষয় হয়।

Epitaxial সাসেপ্টর হল SiC পাওয়ার ডিভাইস, যেমন উচ্চ-দক্ষ ডায়োড, ট্রানজিস্টর এবং বৈদ্যুতিক যানবাহন, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত অন্যান্য পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির উত্পাদনের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান। এই ডিভাইসগুলির সর্বোত্তম কর্মক্ষমতার জন্য উচ্চ-মানের, ত্রুটি-মুক্ত এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির প্রয়োজন এবং এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর স্থিতিশীল তাপমাত্রা প্রোফাইল বজায় রেখে এবং বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় দূষণ প্রতিরোধ করে এটি অর্জন করতে সহায়তা করে।

অন্যান্য উপকরণের উপর সুবিধা

অন্যান্য উপকরণের তুলনায়, যেমন বেয়ার গ্রাফাইট বা সিলিকন-ভিত্তিক সাসেপ্টর, SiC আবরণ সহ Epitaxial সাসেপ্টর উচ্চতর তাপ ব্যবস্থাপনা এবং যান্ত্রিক অখণ্ডতা প্রদান করে। যদিও গ্রাফাইট ভাল তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, উচ্চ তাপমাত্রায় এর অক্সিডেশন এবং পরিধানের সংবেদনশীলতা চাহিদার প্রয়োগে এর কার্যকারিতা সীমিত করতে পারে। SiC আবরণ, যাইহোক, শুধুমাত্র উপাদানের তাপ পরিবাহিতা উন্নত করে না বরং এটি নিশ্চিত করে যে এটি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির পরিবেশের কঠোর পরিস্থিতি সহ্য করতে পারে, যেখানে উচ্চ তাপমাত্রা এবং প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের দীর্ঘায়িত এক্সপোজার সাধারণ।

তদুপরি, SiC-কোটেড সাসেপ্টর নিশ্চিত করে যে পরিচালনার সময় ওয়েফারের পৃষ্ঠটি অবিচ্ছিন্ন থাকে। এটি বিশেষ করে গুরুত্বপূর্ণ যখন SiC ওয়েফারগুলির সাথে কাজ করা হয়, যা প্রায়শই পৃষ্ঠের দূষণের জন্য অত্যন্ত সংবেদনশীল। SiC আবরণের উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং রাসায়নিক প্রতিরোধ দূষণের ঝুঁকি কমায়, পুরো বৃদ্ধি প্রক্রিয়া জুড়ে ওয়েফারের অখণ্ডতা নিশ্চিত করে।

SiC আবরণ সহ Semicorex Epitaxial Susceptor সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের জন্য একটি অপরিহার্য উপাদান, বিশেষ করে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির সময় SiC ওয়েফার হ্যান্ডলিং জড়িত প্রক্রিয়াগুলির জন্য। এর উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা, স্থায়িত্ব, রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং মাত্রিক স্থিতিশীলতা এটিকে উচ্চ-তাপমাত্রা অর্ধপরিবাহী উত্পাদন পরিবেশের জন্য একটি আদর্শ সমাধান করে তোলে। নির্দিষ্ট চাহিদা মেটাতে সাসেপ্টরকে কাস্টমাইজ করার ক্ষমতা সহ, এটি পাওয়ার ডিভাইস এবং অন্যান্য উন্নত সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উচ্চ-মানের SiC স্তরগুলির বৃদ্ধিতে নির্ভুলতা, অভিন্নতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।