ডিপ-ইউভি এলইডি এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর

সেমিকোরেক্স হল চীনে সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টরের একটি বড় মাপের প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। আমরা বহু বছর ধরে ডিপ-ইউভি এলইডি এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। আমাদের পণ্যগুলির একটি ভাল মূল্য সুবিধা রয়েছে এবং বেশিরভাগ ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারগুলিকে কভার করে৷ আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

ডিপ-ইউভি এলইডি এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর এলইডি তৈরির জন্য অপরিহার্য। সেমিকোরেক্স সিলিকন কার্বাইড (SiC)-কোটেড প্লেট উচ্চ মানের গভীর UV LED ওয়েফার তৈরিকে আরও দক্ষ করে তোলে। SiC আবরণ হল একটি ঘন, পরিধান-প্রতিরোধী সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ। এটিতে উচ্চ জারা এবং তাপ প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্যের পাশাপাশি চমৎকার তাপ পরিবাহিতা রয়েছে। আমরা রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রক্রিয়া ব্যবহার করে গ্রাফাইটের উপর পাতলা স্তরে SiC প্রয়োগ করি।
আপনার নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা যাই হোক না কেন, আমরা MOCVD এপিটাক্সির পাশাপাশি সেমিকন্ডাক্টর এবং LED ইন্ডাস্ট্রির জন্য সেরা সমাধান চিহ্নিত করব।
আমাদের ডিপ-ইউভি এলইডি এপিট্যাক্সিয়াল সাসেপ্টর সর্বোত্তম ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, তাপীয় প্রোফাইলের সমানতা নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার চিপে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি নিশ্চিত করে কোনো দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে।
আমাদের ডিপ-ইউভি এলইডি এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ডিপ-ইউভি এলইডি এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300

ডিপ-ইউভি এলইডি এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরের বৈশিষ্ট্য

- নিম্ন তরঙ্গদৈর্ঘ্য বিচ্যুতি এবং উচ্চ চিপ ফলন
- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য রয়েছে।
- কঠোর মাত্রিক সহনশীলতা উচ্চতর পণ্যের ফলন এবং কম খরচের দিকে পরিচালিত করে
- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন
উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল
উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।
জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।
জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।