SiC স্টিয়ারিং মিরর

সেমিকোরেক্সSiCস্টিয়ারিং মিরর উপাদান বৈশিষ্ট্য

অসামান্য উপাদান বৈশিষ্ট্য

এর ব্যতিক্রমী উপাদান গুণাবলীর কারণে, এসআইসি স্টিয়ারিং মিরর হল টেলিস্কোপে স্যাটেলাইট আয়নার পছন্দের উপাদান। সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর উচ্চ কঠোরতা এবং কঠোরতার কারণে বিকৃতির ব্যতিক্রমী প্রতিরোধের জন্য বিখ্যাত। এটি কঠিন সেটিংসে অপটিক্যাল নির্ভুলতা সংরক্ষণের জন্য অপরিহার্য। কম ঘনত্বের কারণে, গঠনটি হালকা ওজনের, যা বিশেষ করে বৈমানিক প্রয়োগের ক্ষেত্রে দরকারী যেখানে প্রতিটি গ্রাম গুরুত্বপূর্ণ। অতিরিক্তভাবে, SiC-এর তাপ সম্প্রসারণের কম সহগ তাপমাত্রার ওঠানামার অধীনে মাত্রা পরিবর্তনকে হ্রাস করে, অপটিক্যাল সারিবদ্ধতা এবং কর্মক্ষমতা সংরক্ষণ করে, যখন এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা কার্যকর তাপ অপচয়ের নিশ্চয়তা দেয়।

যান্ত্রিক এবং তাপ স্থিতিস্থাপকতা

SiC স্টিয়ারিং মিরর 1400°C পর্যন্ত তাপমাত্রা প্রতিরোধ করতে পারে, ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে। দ্রুত তাপমাত্রা পরিবর্তনের জন্য প্রয়োজনীয় অ্যাপ্লিকেশন, যেমন স্পেস টেলিস্কোপ এবং উচ্চ-গতির স্ক্যানিং সিস্টেম, এই বৈশিষ্ট্যের উপর নির্ভর করে। উপাদানটির নমনীয় শক্তি, যা 59,465 থেকে 93,549 PSI পর্যন্ত, কাঠামোগত অখণ্ডতাকে বলিদান ছাড়াই যান্ত্রিক চাপ সহ্য করার ক্ষমতা হাইলাইট করে। যান্ত্রিক শক্তি থাকা সত্ত্বেও SiC ভঙ্গুর হতে পারে, তাই ক্ষতি এড়াতে উত্পাদন এবং ইনস্টলেশনের সময় সাবধানতার সাথে চিকিত্সা করা প্রয়োজন।

লাইটওয়েট ডিজাইন এবং সারফেস কোয়ালিটি

SiC স্টিয়ারিং মিরর পৃষ্ঠের রুক্ষতা হ্রাস এর চমৎকার অপটিক্যাল কর্মক্ষমতা এবং কম আলো বিচ্ছুরণে অবদান রাখে। উচ্চ-শক্তি লেজার (এইচইএল) সিস্টেমের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য যেগুলির জন্য সুনির্দিষ্ট আলো ম্যানিপুলেশন প্রয়োজন, এটি অপরিহার্য। SiC প্রচলিত কাচের আয়নার তুলনায় যথেষ্ট হালকা, যা স্থান অ্যাপ্লিকেশন এবং বড় টেলিস্কোপের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য যেখানে ওজন হ্রাস করা গুরুত্বপূর্ণ। হ্যান্ডলিং এবং ইনস্টলেশন সহজ করার পাশাপাশি, এই লাইটওয়েট ডিজাইনটি অ্যারোনটিক্যাল মিশনের জন্য মোট পেলোড কমিয়ে দেয়।

অনুরণন এবং কঠোরতার ফ্রিকোয়েন্সি

এসআইসি স্টিয়ারিং মিরর HEL সিস্টেমের মতো ত্বরণ জড়িত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত, কারণ এটির জেরোডুর মতো উপকরণগুলির তুলনায় অনুরণিত ফ্রিকোয়েন্সি সুবিধা রয়েছে। উচ্চ ত্বরণ এবং দ্রুত নিষ্ক্রিয় তাপ অপচয় সম্ভব হয়েছে এর অসাধারণ অনমনীয়তার দ্বারা, যা গতিশীল সেটিংসে কর্মক্ষমতা বজায় রাখার জন্য অপরিহার্য। SiC এর অভিযোজনযোগ্যতা জটিল আকারে গঠন করার ক্ষমতার দ্বারা আরও বৃদ্ধি করা হয়েছে, যা বিশেষ অপটিক্যাল প্রয়োজনের জন্য উপযুক্ত অনন্য নিদর্শন তৈরি করতে সক্ষম করে।

সিভিডি আবরণবর্ধিতকরণ

রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) SiC স্টিয়ারিং আয়নার পৃষ্ঠ বৈশিষ্ট্য উন্নত করতে ব্যবহৃত হয়। একটি উচ্চতর পৃষ্ঠ চিত্র অর্জন করে, CVD SiC অপটিক্যাল গুণমান উন্নত করতে পারে। অতিরিক্তভাবে, সিভিডি ক্ল্যাডিং প্রক্রিয়া আয়নার সামগ্রিক কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু বাড়ায়, গ্যারান্টি দেয় যে এটি অত্যাধুনিক অপটিক্যাল সিস্টেমের সঠিক প্রয়োজনীয়তাগুলিকে সন্তুষ্ট করে।

জন্য ব্যবহার করেSiCস্টিয়ারিং আয়না

মহাকাশ এবং মহাকাশে অ্যাপ্লিকেশন

SiC স্টিয়ারিং মিররের লাইটওয়েট এবং তাপগতভাবে স্থিতিশীল গুণাবলী এটিকে স্থান এবং মহাকাশ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নিখুঁত করে তোলে। কঠোর স্থানের পরিবেশে অপটিক্যাল নির্ভুলতা সংরক্ষণের জন্য স্যাটেলাইট টেলিস্কোপে আয়নার ক্ষমতা দীর্ঘ মিশনের সময় নির্ভরযোগ্য অপারেশনের গ্যারান্টি দেয়। স্থানের শূন্য-মাধ্যাকর্ষণ পরিবেশে, যেখানে সুনির্দিষ্ট তথ্য সংগ্রহের জন্য সারিবদ্ধতা বজায় রাখা অপরিহার্য, গতিশীল এবং মহাকর্ষীয় বিচ্যুতির প্রতিরোধ খুব সুবিধাজনক।

দ্রুত স্ক্যানিং প্রক্রিয়া

SiC স্টিয়ারিং মিররের যান্ত্রিক দৃঢ়তা এবং দ্রুত তাপীয় স্থিতিশীলতা উচ্চ-গতির স্ক্যানিং সিস্টেমগুলিতে সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ এবং দ্রুত প্রতিক্রিয়ার সময়গুলির জন্য অনুমতি দেয়। এই সিস্টেমগুলি দ্রুত ত্বরণ সহ্য করার এবং কার্যকরভাবে তাপ নষ্ট করার জন্য আয়নার ক্ষমতা থেকে লাভ করে, এমনকি গুরুতর অপারেটিং পরিস্থিতিতেও স্থির কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

উচ্চ শক্তি লেজারের অ্যাপ্লিকেশন (HEL)

SiC স্টিয়ারিং মিররের অসাধারণ দৃঢ়তা এবং অনুরণিত ফ্রিকোয়েন্সি সুবিধাগুলি HEL অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অমূল্য। আয়নাটি লেজার সিস্টেমের একটি নিখুঁত অংশ যা সঠিক মরীচি নিয়ন্ত্রণ এবং স্থায়িত্বের প্রয়োজন কারণ এটির বড় শক্তির লোড সহ্য করার এবং দ্রুত তাপ নষ্ট করার ক্ষমতা। এর জটিল আকার নেওয়ার ক্ষমতা কাস্টমাইজড সমাধানগুলিকে সক্ষম করে যা অত্যাধুনিক লেজার প্রযুক্তির অনন্য প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করে।

বড় টেলিস্কোপ

SiC স্টিয়ারিং মিররের লো স্ক্যাটার সারফেস এবং লাইটওয়েট ডিজাইন বড় টেলিস্কোপে অপটিক্যাল কর্মক্ষমতা উন্নত করে। ইনস্টলেশন এবং সারিবদ্ধকরণকে আরও সহজ করার পাশাপাশি, হালকা ওজন কাঠামোগত অখণ্ডতাকে বলিদান ছাড়াই বৃহত্তর আয়নার ব্যাসের অনুমতি দেয়। জ্যোতির্বিজ্ঞানের প্রয়োগে, যেখানে দূর-দূরান্তের মহাকাশীয় বস্তুগুলি পর্যবেক্ষণ করার জন্য আলো সংগ্রহের অপ্টিমাইজ করা প্রয়োজন, এটি তাৎপর্যপূর্ণ।

SiC উত্পাদন প্রক্রিয়া

SiC অনেক জটিল পদ্ধতির মাধ্যমে উত্পাদিত হয়। প্রথমত, সিলিকা বালি বা তরল সিলিকন সিলিকন কার্বাইড তৈরি করতে একটি উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে কার্বন দিয়ে উত্তপ্ত করা হয়। এই কৌশলটির মাধ্যমে, ঘন SiC তৈরি করা হয়, যা পরবর্তীতে উচ্চ চাপে এবং 2000°C এর উপরে তাপমাত্রায় একটি জড় বায়ুমণ্ডলে নন-অক্সাইড সিন্টারিং অ্যাডিটিভের সাথে সিন্টার করা হয়। অধিকন্তু, অত্যন্ত খাঁটি SiC মুখ-কেন্দ্রিক ঘন স্ফটিক আকারে রাসায়নিক বাষ্প জমার মাধ্যমে উত্পাদিত হয়, যা এর যান্ত্রিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলিকে উন্নত করে।