Ga2O3 এপিটাক্সি

Ga2O3 এপিটাক্সি, চতুর্থ প্রজন্মের ওয়াইড-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর থেকে প্রাপ্ত, চরম পরিবেশে কর্মক্ষমতা স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতার একটি নতুন স্তরের পরিচয় দেয়। এর প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ প্রকৃতি এটিকে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-বিকিরণ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পছন্দের উপাদান হিসাবে অবস্থান করে।

হাই-ব্রেকডাউন ফিল্ড স্ট্রেন্থ: Ga2O3 এর ব্যতিক্রমী ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি এবং উন্নত বালিগা মানগুলি থেকে উপকৃত, এটিকে উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য একটি অতুলনীয় উপাদান করে তুলেছে। Ga2O3 এপিটাক্সি উচ্চতর নির্ভরযোগ্যতা এবং সর্বনিম্ন শক্তি ক্ষতি নিশ্চিত করে।

Ga2O3 এপিটাক্সি তার উচ্চতর শক্তি দক্ষতার সাথে আলাদা। গর্বিত বালিগা GN-এর চেয়ে চারগুণ এবং SiC-এর দশগুণ মান, এটি চমৎকার পরিবাহী বৈশিষ্ট্য উপস্থাপন করে। Ga2O3 এপিটাক্সি ডিভাইসগুলি কেবলমাত্র SiC-এর 1/7তম এবং সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসগুলির একটি চিত্তাকর্ষক 1/49তম শক্তির ক্ষতি প্রদর্শন করে৷

Ga2O3 এপিটাক্সির নিম্ন কঠোরতা বানোয়াট প্রক্রিয়াকে সহজ করে, যার ফলে প্রক্রিয়াকরণের খরচ কমে যায়। এই সুবিধাটি Ga2O3 এপিটাক্সিকে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি ব্যয়-কার্যকর এবং মাপযোগ্য সমাধান হিসাবে অবস্থান করে।