CVD পদ্ধতি সহ TaC আবরণ

ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ হল একটি গুরুত্বপূর্ণ উচ্চ-শক্তি, জারা-প্রতিরোধী এবং রাসায়নিকভাবে স্থিতিশীল উচ্চ-তাপমাত্রার কাঠামোগত উপাদান যার গলনাঙ্ক 4273 °C পর্যন্ত, যা সর্বোচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের একাধিক যৌগগুলির মধ্যে একটি। এটির চমৎকার উচ্চ-তাপমাত্রার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য, উচ্চ-গতির বায়ুপ্রবাহ স্কোরিংয়ের প্রতিরোধ, বিমোচন প্রতিরোধ, এবং গ্রাফাইট এবং কার্বন/কার্বন কম্পোজিটগুলির সাথে ভাল রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক সামঞ্জস্য রয়েছে। তাই, GaN LEDs এবং SiC পাওয়ার ডিভাইসের এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ায় যেমন MOCVD, TaC আবরণে H2, HCl, NH3-এর জন্য চমৎকার অ্যাসিড এবং ক্ষার প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, যা গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট উপাদানকে সম্পূর্ণরূপে রক্ষা করতে পারে এবং বৃদ্ধির পরিবেশকে বিশুদ্ধ করতে পারে।

TaC আবরণ 2000 °C এর উপরে তাপমাত্রায় স্থিতিশীল থাকে, যখন SiC আবরণ 1200-1400 °C এ পচতে শুরু করে, যা গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের অখণ্ডতাকেও ব্যাপকভাবে উন্নত করবে। ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণগুলি বর্তমানে গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটগুলিতে প্রধানত CVD দ্বারা প্রস্তুত করা হয়, এবং TaC আবরণগুলির উত্পাদন ক্ষমতা SiC পাওয়ার ডিভাইস এবং GaNLEDs এপিটাক্সিয়াল ডিভাইসগুলির চাহিদা মেটাতে আরও বাড়ানো হবে।

রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (CVD) দ্বারা কার্বন পদার্থের উপর ট্যান্টালাম কার্বাইড আবরণ জমা করার জন্য ব্যবহৃত রাসায়নিক বিক্রিয়া পদ্ধতি হল TaCl5, C3H6, H2 এবং Ar, যেখানে Ar একটি তরলীকরণ এবং গ্যাস বহনকারী হিসাবে ব্যবহৃত হয়।

ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণগুলি MOCVD ব্যবহার করে GaN LEDs এবং SiC পাওয়ার ডিভাইসগুলির এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। উন্নত উপকরণগুলি গুরুত্বপূর্ণ উপাদানগুলিকে রক্ষা করে, উচ্চ-তাপমাত্রা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের সাথে যুক্ত কঠোর পরিস্থিতিতে তাদের দীর্ঘায়ু এবং কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

যেহেতু SiC পাওয়ার ডিভাইস এবং GaN LED-এর চাহিদা বাড়তে থাকে, ট্যান্টালম কার্বাইড আবরণের উৎপাদন ক্ষমতা প্রসারিত হতে চলেছে৷ নির্মাতারা এই শিল্পগুলির ক্রমবর্ধমান প্রয়োজনীয়তা মেটাতে প্রস্তুত, উচ্চ-তাপমাত্রা প্রযুক্তির বিবর্তনকে সহজতর করে।

উপসংহারে,ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণউচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে উপকরণের স্থায়িত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার জন্য একটি অবিশ্বাস্য প্রযুক্তিগত লাফের প্রতিনিধিত্ব করে। যেহেতু তারা সেমিকন্ডাক্টর এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স সেক্টরে বৈপ্লবিক পরিবর্তন চালিয়ে যাচ্ছে, এই আবরণগুলি আধুনিক উচ্চ-প্রযুক্তির অগ্রগতির একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান হিসাবে তাদের অবস্থানকে আন্ডারলাইন করে।