SiC স্ফটিকের ত্রুটি সম্পর্কে - মাইক্রোপাইপ

SiC সাবস্ট্রেটের মাইক্রোস্কোপিক ত্রুটি থাকতে পারে, যেমন থ্রেডিং স্ক্রু ডিসলোকেশন (TSD), থ্রেডিং এজ ডিসলোকেশন (TED), বেস প্লেন ডিসলোকেশন (BPD) এবং অন্যান্য। এই ত্রুটিগুলি পারমাণবিক স্তরে পরমাণুর বিন্যাসে বিচ্যুতির কারণে ঘটে। SiC স্ফটিকগুলিরও ম্যাক্রোস্কোপিক স্থানচ্যুতি থাকতে পারে, যেমন Si বা C অন্তর্ভুক্তি, মাইক্রোপাইপ, ষড়ভুজ শূন্যতা, পলিমর্ফ ইত্যাদি। এই স্থানচ্যুতিগুলি সাধারণত আকারে বড় হয়।

SiC ডিভাইস তৈরির প্রধান সমস্যাগুলির মধ্যে একটি হল ত্রিমাত্রিক মাইক্রোস্ট্রাকচার যা "মাইক্রোপাইপ" বা "পিনহোল" নামে পরিচিত, যা সাধারণত যথাক্রমে 30-40um এবং 0.1-5um হয়। এই মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব 10-10³/cm² এবং এপিটাক্সিয়াল স্তর ভেদ করতে পারে, যার ফলে ডিভাইস-কিলার ত্রুটি দেখা দেয়। এগুলি প্রাথমিকভাবে স্পিরো ডিসলোকেশনের ক্লাস্টারিং দ্বারা সৃষ্ট হয় এবং এসআইসি ডিভাইসগুলির বিকাশে প্রাথমিক বাধা হিসাবে বিবেচিত হয়।

Microtubule defects on the substrate are the source of other defects formed in the epitaxial layer during the growth process, such as voids, inclusions of various polymorphs, twins, etc. Therefore, the most important thing to do during the growth process of the substrate material for high-voltage and high-power SiC devices is to reduce the formation of microtubule defects in bulk SiC crystals and to prevent them from entering the epitaxial layer.

মাইক্রোপাইপটিকে ছোট পিট হিসাবে দেখা যেতে পারে এবং প্রক্রিয়াটির শর্তগুলিকে অনুকূল করে আমরা মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব কমাতে "পিটগুলি পূরণ করতে" পারি। সাহিত্য এবং পরীক্ষামূলক তথ্যের বেশ কিছু গবেষণায় দেখা গেছে যে বাষ্পীভবন এপিটাক্সি, সিভিডি বৃদ্ধি এবং তরল-ফেজ এপিটাক্সি মাইক্রোপাইপে পূরণ করতে পারে এবং মাইক্রোপাইপ এবং স্থানচ্যুতিগুলির গঠন হ্রাস করতে পারে।

সেমিকোরেক্স এমওসিভিডি কৌশল ব্যবহার করে এসআইসি আবরণ তৈরি করে যা কার্যকরভাবে মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব হ্রাস করে, যার ফলে উচ্চ-মানের পণ্য তৈরি হয়। যদি আপনার কোন জিজ্ঞাসা থাকে বা অতিরিক্ত বিবরণ প্রয়োজন, আমাদের সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না দয়া করে.

যোগাযোগের ফোন # +86-13567891907

ইমেইল: sales@semicorex.com