6 ইঞ্চি SiC বোট

সেমিকোরেক্স 6 ইঞ্চি SiC বোট একটি উন্নত ওয়েফার ক্যারিয়ার যা উচ্চ-তাপমাত্রার সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণের কার্যকারিতা এবং দক্ষতাকে অপ্টিমাইজ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, বিশেষত অক্সিডেশন, ডিফিউশন এবং অন্যান্য তাপীয় প্রক্রিয়াগুলির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য। উচ্চ-মানের সিলিকন কার্বাইড (SiC) থেকে তৈরি, এই পণ্যটি গুরুতর উচ্চ-তাপমাত্রা অপারেশনের সময় সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলি ধরে রাখার জন্য একটি শক্তিশালী সমাধান প্রদান করে, উচ্চতর তাপীয় স্থিতিশীলতা, চমৎকার জারা প্রতিরোধের এবং ন্যূনতম দূষণের ঝুঁকি প্রদান করে।

6 ইঞ্চি SiC বোটটি উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন কার্বাইড (SiC) ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, এটি একটি উপাদান যা তার অসামান্য তাপীয় বৈশিষ্ট্য, রাসায়নিক প্রতিরোধের এবং কঠোর পরিবেশে স্থায়িত্বের জন্য পরিচিত। উচ্চ গলনাঙ্কের (প্রায় 2,700°C) কারণে অর্ধপরিবাহী উৎপাদনে SiC ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা অক্সিডেশন এবং ডিফিউশন ফার্নেসগুলিতে ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের মতো উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে। নৌকার নকশা চমৎকার কাঠামোগত অখণ্ডতা এবং অভিন্ন তাপ বিতরণ নিশ্চিত করে, যা সেমিকন্ডাক্টর ক্রিস্টাল বৃদ্ধি, অক্সিডেশন এবং অন্যান্য তাপীয় চিকিত্সায় সামঞ্জস্যপূর্ণ ফলাফল অর্জনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

মূল বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা

উচ্চ তাপ স্থিতিশীলতা

SiC-এর ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা নিশ্চিত করে যে 6 ইঞ্চি SiC বোট বিক্ষিপ্ত বা অবনমিত ছাড়াই চরম তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে। এই সম্পত্তি বিশেষ করে অক্সিডেশন এবং ডিফিউশন প্রক্রিয়ার সময় মূল্যবান, যেখানে সুনির্দিষ্ট তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ সামঞ্জস্যপূর্ণ ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য অপরিহার্য।

চমৎকার রাসায়নিক প্রতিরোধের

সিলিকন কার্বাইডের রাসায়নিক ক্ষয়ের সহজাত প্রতিরোধ নৌকাটিকে এমন পরিবেশে ব্যবহারের জন্য আদর্শ করে তোলে যেখানে অক্সিজেন, নাইট্রোজেন বা অন্যান্য প্রতিক্রিয়াশীল উপাদানের মতো আক্রমণাত্মক গ্যাসের এক্সপোজার সাধারণ। নৌকাটি উচ্চ-তাপমাত্রা, রাসায়নিকভাবে প্রতিক্রিয়াশীল পরিবেশে তার কাঠামোগত অখণ্ডতা এবং কর্মক্ষমতা বজায় রাখে, দূষণের সম্ভাবনা হ্রাস করে।

উচ্চ-তাপমাত্রা স্থায়িত্ব

6 ইঞ্চি SiC বোটটি 1,500°C পর্যন্ত তাপমাত্রায় পারফর্ম করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, যা অক্সিডেশন এবং ডিফিউশন সহ অনেক উচ্চ-তাপমাত্রা সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াগুলির জন্য প্রয়োজনীয়। এই উচ্চ-তাপমাত্রা সহনশীলতা দাবি করা অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যেও দীর্ঘ পরিষেবা জীবন নিশ্চিত করে।

কম দূষণ ঝুঁকি

সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণের একটি গুরুত্বপূর্ণ কারণ হল ওয়েফার পৃষ্ঠের দূষণ কমিয়ে আনা। SiC-এর কম অপরিচ্ছন্নতার মাত্রা এবং অ-প্রতিক্রিয়াশীল প্রকৃতি নিশ্চিত করে যে 6 ইঞ্চি SiC বোট একটি পরিষ্কার এবং নিয়ন্ত্রিত পরিবেশে অবদান রাখে, যার ফলে প্রক্রিয়াকরণের সময় অবাঞ্ছিত দূষণের ঝুঁকি হ্রাস পায়।

ইউনিফর্ম ওয়েফার সমর্থন

নৌকার নকশা নিশ্চিত করে যে ওয়েফারগুলি সমানভাবে সমর্থিত হয়, সর্বোত্তম ওয়েফার সারিবদ্ধতা বজায় রাখে এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় কোনও ঝাঁকুনি বা মিসলাইনমেন্ট প্রতিরোধ করে। সামঞ্জস্যপূর্ণ ফলাফল নিশ্চিত করতে এবং ওয়েফার ত্রুটি প্রতিরোধের জন্য এই অভিন্ন সমর্থন অপরিহার্য।

কাস্টমাইজেশন বিকল্প

6 ইঞ্চি SiC বোটটি নির্দিষ্ট গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তাগুলি মাপসই করার জন্য কাস্টমাইজ করা যেতে পারে, যার মধ্যে বিভিন্ন ওয়েফার ধরণের জন্য উপযুক্ত আকার, আকার এবং কনফিগারেশন রয়েছে। অক্সিডেশন, প্রসারণ বা অন্যান্য তাপীয় প্রক্রিয়ার জন্য ব্যবহার করা হোক না কেন, বোটটি গ্রাহকের নির্দিষ্ট প্রক্রিয়া প্রবাহের জন্য অপ্টিমাইজ করা যেতে পারে।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এ অ্যাপ্লিকেশন

6 ইঞ্চি SiC বোটটি প্রাথমিকভাবে অর্ধপরিবাহী উত্পাদনে উচ্চ-তাপমাত্রার তাপ প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহৃত হয়। এটি অক্সিডেশন এবং ডিফিউশন ফার্নেসগুলিতে বিশেষভাবে কার্যকর, যেখানে সফল ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য তাপমাত্রা এবং বায়ুমণ্ডলের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন।

• জারণ প্রক্রিয়া: জারণ প্রক্রিয়া চলাকালীন, সিলিকন ওয়েফারগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় অক্সিজেনের সংস্পর্শে আসে যাতে ওয়েফার পৃষ্ঠে একটি পাতলা সিলিকন ডাই অক্সাইড স্তর তৈরি হয়। 6 ইঞ্চি SiC বোট নিশ্চিত করে যে এই উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়া চলাকালীন ওয়েফারগুলি নিরাপদে এবং সমানভাবে রাখা হয়, বিকৃতি বা বিকৃতকরণ প্রতিরোধ করে এবং অভিন্ন অক্সাইড স্তর বৃদ্ধি নিশ্চিত করে।
• প্রসারণ প্রক্রিয়া: ডিফিউশন প্রক্রিয়ায়, ডোপ্যান্টগুলি তার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে সংশোধন করতে সিলিকন ওয়েফারে প্রবর্তন করা হয়। SiC বোট এই জটিল পদক্ষেপের সময় ওয়েফারগুলির জন্য স্থিতিশীল এবং নির্ভরযোগ্য সহায়তা প্রদান করে, যেখানে উচ্চ তাপমাত্রা এবং প্রসারিত পরিবেশের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ সর্বাগ্রে। এর চমৎকার তাপীয় স্থিতিশীলতা অভিন্ন হিটিং নিশ্চিত করে, যা পছন্দসই ডোপেন্ট প্রোফাইল অর্জনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
• অন্যান্য উচ্চ-তাপমাত্রা অ্যাপ্লিকেশন: জারণ এবং প্রসারণের বাইরে, 6 ইঞ্চি SiC বোটটি অন্যান্য উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন অ্যানিলিং, নাইট্রিডেশন এবং এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি। এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং তাপীয় শক প্রতিরোধের কারণে এটিকে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির বিভিন্ন পর্যায়ের জন্য একটি বহুমুখী সমাধান করে তোলে।

অন্যান্য উপকরণের উপর সুবিধা

কোয়ার্টজ বা গ্রাফাইটের মতো ঐতিহ্যবাহী উপকরণের তুলনায়, সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে উল্লেখযোগ্য সুবিধা দেয়। কোয়ার্টজ বোটগুলি তাপীয় শক এবং রাসায়নিক বিক্রিয়ার জন্য বেশি সংবেদনশীল, যখন গ্রাফাইট বোটগুলি আউটগ্যাস করতে পারে এবং দূষণ প্রবর্তন করতে পারে। অন্যদিকে, SiC বোটগুলি দূষণ, তাপীয় অস্থিরতা বা অবক্ষয়ের ঝুঁকি ছাড়াই কঠোর পরিবেশে তাদের কর্মক্ষমতা বজায় রাখে। এটি 6 ইঞ্চি SiC বোটকে উচ্চ-তাপমাত্রা সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াকরণের জন্য আরও নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ পছন্দ করে তোলে।

সেমিকোরেক্স 6 ইঞ্চি SiC বোট সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, যা উন্নত ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য প্রয়োজনীয় স্থিতিশীলতা, রাসায়নিক প্রতিরোধ এবং তাপীয় কর্মক্ষমতা প্রদান করে। এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, রাসায়নিক জারা প্রতিরোধ এবং ন্যূনতম দূষণের ঝুঁকি এটিকে জারণ, প্রসারণ এবং অন্যান্য উচ্চ-তাপমাত্রা অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়ার জন্য আদর্শ পছন্দ করে তোলে। গবেষণা এবং উন্নয়ন বা বড় আকারের উৎপাদনে ব্যবহার করা হোক না কেন, 6 ইঞ্চি SiC বোট সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে সর্বোচ্চ মানের ফলাফল নিশ্চিত করার জন্য প্রয়োজনীয় কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা সরবরাহ করে।