এলপিই এপিটাক্সিয়াল গ্রোথের জন্য SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টর

এলপিই এপিটাক্সিয়াল গ্রোথের জন্য আমাদের SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টর একটি উচ্চ-মানের এবং নির্ভরযোগ্য পণ্য যা অর্থের জন্য চমৎকার মূল্য প্রদান করে। এর উচ্চ-তাপমাত্রার অক্সিডেশন প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় প্রোফাইল এবং দূষণ প্রতিরোধ এটিকে ওয়েফার চিপগুলিতে উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে। এর কম রক্ষণাবেক্ষণের প্রয়োজনীয়তা এবং কাস্টমাইজযোগ্যতা এটিকে বাজারে একটি অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক পণ্য করে তোলে।

এলপিই এপিটাক্সিয়াল গ্রোথের জন্য আমাদের SiC কোটেড ব্যারেল সাসেপ্টর সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

এলপিই এপিটাক্সিয়াল গ্রোথের জন্য SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টরের পরামিতি

এলপিই এপিটাক্সিয়াল গ্রোথের জন্য SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টরের বৈশিষ্ট্য

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই ভাল ঘনত্ব রয়েছে এবং উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী কাজের পরিবেশে একটি ভাল প্রতিরক্ষামূলক ভূমিকা পালন করতে পারে।

- একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড প্রলিপ্ত সাসেপ্টরের পৃষ্ঠের সমতলতা খুব বেশি।

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড স্তরের মধ্যে তাপীয় সম্প্রসারণ সহগের পার্থক্য হ্রাস করুন, ক্র্যাকিং এবং ডিলামিনেশন রোধ করতে কার্যকরভাবে বন্ধন শক্তি উন্নত করুন।

- গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড উভয় স্তরেরই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার তাপ বিতরণের বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

- উচ্চ গলনাঙ্ক, উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের।