ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য Semicorex এর SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ার হল উচ্চ-তাপমাত্রা ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়া যেমন এপিটাক্সি এবং MOCVD এর জন্য একটি নির্ভরযোগ্য এবং সাশ্রয়ী সমাধান। আমাদের ক্যারিয়ারগুলিতে একটি সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ রয়েছে যা উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধ প্রদান করে।
ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য Semicorex এর SiC কোটেড ক্যারিয়ারের সাথে সর্বোচ্চ মানের এপিটাক্সি এবং MOCVD প্রক্রিয়াগুলি অর্জন করুন। আমাদের পণ্য বিশেষভাবে এই প্রক্রিয়াগুলির জন্য প্রকৌশলী, উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের প্রস্তাব. আমাদের সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠ প্রদান করে, যা ওয়েফারগুলির সর্বোত্তম পরিচালনার জন্য অনুমতি দেয়।
ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য আমাদের SiC কোটেড ক্যারিয়ার সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।
ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের পরামিতি
CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন |
||
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য |
||
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার |
FCC β ফেজ |
|
ঘনত্ব |
g/cm ³ |
3.21 |
কঠোরতা |
ভিকারস কঠোরতা |
2500 |
শস্য আকার |
μm |
2~10 |
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা |
% |
99.99995 |
তাপ ক্ষমতা |
J kg-1 K-1 |
640 |
পরমানন্দ তাপমাত্রা |
℃ |
2700 |
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ |
MPa (RT 4-পয়েন্ট) |
415 |
তরুণের মডুলাস |
Gpa (4pt বাঁক, 1300℃) |
430 |
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
তাপ পরিবাহিতা |
(W/mK) |
300 |
ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের বৈশিষ্ট্য
- খোসা ছাড়ানো এড়িয়ে চলুন এবং সমস্ত পৃষ্ঠে আবরণ নিশ্চিত করুন
উচ্চ তাপমাত্রা অক্সিডেশন প্রতিরোধের: 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীল
উচ্চ বিশুদ্ধতা: উচ্চ তাপমাত্রা ক্লোরিনেশন অবস্থার অধীনে CVD রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা তৈরি।
জারা প্রতিরোধের: উচ্চ কঠোরতা, ঘন পৃষ্ঠ এবং সূক্ষ্ম কণা।
জারা প্রতিরোধের: অ্যাসিড, ক্ষার, লবণ এবং জৈব বিকারক।
- সেরা ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহ প্যাটার্ন অর্জন করুন
- তাপীয় প্রোফাইলের সমতা গ্যারান্টি
- কোন দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ