আইসিপি প্লাজমা এচিং সিস্টেম

ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য Semicorex এর SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ার হল উচ্চ-তাপমাত্রা ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়া যেমন এপিটাক্সি এবং MOCVD এর জন্য একটি নির্ভরযোগ্য এবং সাশ্রয়ী সমাধান। আমাদের ক্যারিয়ারগুলিতে একটি সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ রয়েছে যা উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধ প্রদান করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য Semicorex এর SiC কোটেড ক্যারিয়ারের সাথে সর্বোচ্চ মানের এপিটাক্সি এবং MOCVD প্রক্রিয়াগুলি অর্জন করুন। আমাদের পণ্য বিশেষভাবে এই প্রক্রিয়াগুলির জন্য প্রকৌশলী, উচ্চতর তাপ এবং জারা প্রতিরোধের প্রস্তাব. আমাদের সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ একটি পরিষ্কার এবং মসৃণ পৃষ্ঠ প্রদান করে, যা ওয়েফারগুলির সর্বোত্তম পরিচালনার জন্য অনুমতি দেয়।
ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য আমাদের SiC কোটেড ক্যারিয়ার সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

ICP প্লাজমা এচিং সিস্টেমের জন্য SiC প্রলিপ্ত ক্যারিয়ারের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300