সেমিকোরেক্স এপিটাক্সি কম্পোনেন্ট হল উন্নত সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ-মানের SiC সাবস্ট্রেট উৎপাদনের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, এলপিই রিঅ্যাক্টর সিস্টেমের জন্য একটি নির্ভরযোগ্য পছন্দ। Semicorex Epitaxy উপাদান নির্বাচন করে, গ্রাহকরা তাদের বিনিয়োগে আত্মবিশ্বাসী হতে পারে এবং প্রতিযোগিতামূলক সেমিকন্ডাক্টর বাজারে তাদের উৎপাদন ক্ষমতা বাড়াতে পারে।*
সেমিকোরেক্স এপিটাক্সি কম্পোনেন্ট একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন SiC-কোটেড গ্রাফাইট অংশ বিশেষভাবে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছেএলপিই চুল্লি, সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার জন্য এলপিই-তে একটি গুরুত্বপূর্ণ রূপান্তর অংশ হিসাবে পরিবেশন করা। এই উদ্ভাবনী উপাদানটি SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির দক্ষতা এবং গুণমান বৃদ্ধিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর এবং উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অপরিহার্য।
উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট থেকে নির্মিত এবং সিলিকন কার্বাইডের একটি টেকসই স্তর দিয়ে প্রলিপ্ত, Epitaxy উপাদানটি অসাধারণ যান্ত্রিক শক্তির সাথে চমৎকার তাপ পরিবাহিতাকে একত্রিত করে। দSiC আবরণএটি শুধুমাত্র উপাদানটির রাসায়নিক প্রতিরোধের উন্নতি করে না বরং উচ্চতর তাপীয় স্থিতিশীলতা প্রদান করে, এটি এলপিই প্রক্রিয়াগুলির চাহিদাপূর্ণ অবস্থার জন্য আদর্শ করে তোলে। আমাদের সূক্ষ্ম উত্পাদন প্রক্রিয়া অভিন্ন আবরণ বেধ এবং কর্মক্ষমতা মধ্যে ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করে, স্ফটিক বৃদ্ধির সময় সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের জন্য অনুমতি দেয়।
এপিটাক্সি উপাদানটি চুল্লির মধ্যে সর্বোত্তম তরল গতিশীলতাকে সহজতর করার জন্য প্রকৌশলী করা হয়েছে, যা বৃদ্ধির উপাদানের সমান বিতরণ নিশ্চিত করে। এর উদ্ভাবনী নকশা অশান্তি কমিয়ে দেয় এবং গণপরিবহন বাড়ায়, যা আরও অভিন্ন এবং ত্রুটি-মুক্ত SiC স্তরের দিকে পরিচালিত করে। এটি এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে গুরুত্বপূর্ণ যেখানে স্ফটিক গুণমান সরাসরি ডিভাইসের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে।
SiC এপিটাক্সিসেমিকন্ডাক্টর শিল্পে এটি ক্রমবর্ধমান গুরুত্বপূর্ণ, বিশেষত উচ্চ ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রায় কাজ করে এমন পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য। Epitaxy কম্পোনেন্ট এই প্রক্রিয়ার একটি অপরিহার্য অংশ, যা নির্মাতাদের উচ্চ-মানের SiC ওয়েফার তৈরি করতে দেয় যা আধুনিক ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির কঠোর চাহিদা পূরণ করে। বৈদ্যুতিক যানবাহন, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম এবং উচ্চ-পারফরম্যান্স কম্পিউটিং-এর ক্রমবর্ধমান বাজারের সাথে, নির্ভরযোগ্য SiC সাবস্ট্রেটের চাহিদা বাড়তে থাকে।
Epitaxy কম্পোনেন্টের কার্যকারিতা বিভিন্ন LPE সেটআপে প্রমাণিত, যেখানে এর কার্যকারিতা SiC ক্রিস্টালের সামগ্রিক ফলন এবং গুণমানে উল্লেখযোগ্যভাবে অবদান রাখে। চুল্লিতে বিভিন্ন উপকরণের মধ্যে একটি স্থিতিশীল রূপান্তর ইন্টারফেস প্রদান করে, এই উপাদানটি সামগ্রিক প্রক্রিয়ার নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়, ডাউনটাইম হ্রাস করে এবং থ্রুপুট বৃদ্ধি করে।