MOCVD এর জন্য SiC গ্রাফাইট RTP ক্যারিয়ার প্লেট

MOCVD-এর জন্য Semicorex SiC Graphite RTP ক্যারিয়ার প্লেট উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের এবং তাপীয় অভিন্নতা প্রদান করে, এটিকে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নিখুঁত সমাধান করে তোলে। একটি উচ্চ-মানের SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইটের সাথে, এই পণ্যটি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য কঠোরতম জমা পরিবেশকে প্রতিরোধ করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে। উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার তাপ বিতরণ বৈশিষ্ট্য RTA, RTP, বা কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কারের জন্য নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

আমাদের SiC গ্রাফাইট RTP ক্যারিয়ার প্লেট MOCVD-এর জন্য MOCVD এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ হল ওয়েফার হ্যান্ডলিং এবং এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ প্রসেসিংয়ের জন্য নিখুঁত সমাধান। একটি মসৃণ পৃষ্ঠ এবং রাসায়নিক পরিষ্কারের বিরুদ্ধে উচ্চ স্থায়িত্ব সহ, এই পণ্যটি কঠোর জমা পরিবেশে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
MOCVD-এর জন্য আমাদের SiC গ্রাফাইট RTP ক্যারিয়ার প্লেটের উপাদানটি ফাটল এবং ডিলামিনেশন প্রতিরোধ করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, যখন উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের এবং তাপীয় অভিন্নতা RTA, RTP বা কঠোর রাসায়নিক পরিষ্কারের জন্য সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
MOCVD এর জন্য আমাদের SiC গ্রাফাইট RTP ক্যারিয়ার প্লেট সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

MOCVD-এর জন্য SiC গ্রাফাইট RTP ক্যারিয়ার প্লেটের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
স্ফটিক গঠন	FCC Î² ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	Vickers কঠোরতা	2500
দ্রব্যের আকার	Î¼m	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ধারনক্ষমতা	J·kg-1 ·K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300â)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300

MOCVD-এর জন্য SiC গ্রাফাইট RTP ক্যারিয়ার প্লেটের বৈশিষ্ট্য

উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট
উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের এবং তাপ অভিন্নতা
একটি মসৃণ পৃষ্ঠের জন্য সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক প্রলিপ্ত
রাসায়নিক পরিষ্কারের বিরুদ্ধে উচ্চ স্থায়িত্ব
উপাদানটি এমনভাবে ডিজাইন করা হয়েছে যাতে ফাটল এবং ডিলামিনেশন না ঘটে।