এপিটাক্সিয়াল একক-ক্রিস্টাল সি প্লেট

এপিটাক্সিয়াল সিঙ্গেল-ক্রিস্টাল সি প্লেটের একটি সর্বশ্রেষ্ঠ বৈশিষ্ট্য এর উচ্চতর ঘনত্বের মধ্যে রয়েছে। একটি সিলিকন কার্বাইড আবরণের সাথে একটি গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের একীকরণ একটি ব্যাপক ঘনত্ব তৈরি করে যা উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী পরিবেশে সম্মুখীন হওয়া কঠোর অবস্থার বিরুদ্ধে রক্ষা করতে পারদর্শী। অধিকন্তু, সিলিকন কার্বাইড-কোটেড সাসেপ্টর, একক ক্রিস্টালের সংশ্লেষণের জন্য তৈরি, একটি ব্যতিক্রমী এমনকি পৃষ্ঠের প্রোফাইলকে গর্বিত করে - অনবদ্য মানের ওয়েফারগুলির টেকসই উত্পাদনের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ নির্ধারক।

গ্রাফাইট কোর এবং এর সিলিকন কার্বাইড আবরণের মধ্যে তাপীয় সম্প্রসারণের বৈষম্য হ্রাস করা আমাদের পণ্যের নকশার জন্য সমানভাবে গুরুত্বপূর্ণ। এই ধরনের একটি উদ্ভাবন আঠালো মজবুততাকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে, এইভাবে ফাটল এবং স্তরবিন্যাসের ঘটনাকে বাধা দেয়। এর সাথে সুসংগতভাবে, এপিটাক্সিয়াল একক-ক্রিস্টাল সি প্লেট উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা প্রদর্শন করে, যা অভিন্ন তাপ বরাদ্দের জন্য একটি প্রশংসনীয় প্রবণতার সাথে যুক্ত - যে উপাদানগুলি উত্পাদন চক্রের সময় তাপমাত্রার একজাতীয়তা অর্জনে সহায়ক।

অধিকন্তু, এপিটাক্সিয়াল সিঙ্গেল-ক্রিস্টাল সি প্লেট উচ্চতর তাপমাত্রায় অক্সিডেটিভ এবং ক্ষয়কারী অবক্ষয়ের প্রশংসনীয় স্থিতিস্থাপকতা প্রদর্শন করে, যা এর দীর্ঘায়ু এবং নির্ভরযোগ্যতার উপর ভিত্তি করে। তাপীয় সহনশীলতার জন্য এর প্রান্তিকতা একটি উল্লেখযোগ্য গলনাঙ্ক দ্বারা আন্ডারস্কোর করা হয়েছে, যার ফলে দক্ষ সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশনের অন্তর্নিহিত চাহিদার তাপীয় পরিস্থিতি সহ্য করার ক্ষমতা নিশ্চিত করা হয়েছে।