সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোট

সেমিকোরেক্স উল্লম্ব / কলাম এবং অনুভূমিক উভয় কনফিগারেশনের জন্য ওয়েফার বোট, পেডেস্টাল এবং কাস্টম ওয়েফার ক্যারিয়ার সরবরাহ করে। আমরা বহু বছর ধরে সিলিকন কার্বাইড লেপ ফিল্মের প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। আমাদের সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোটের একটি ভাল দামের সুবিধা রয়েছে এবং বেশিরভাগ ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজার কভার করে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্স সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোটটি সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড সিরামিক দিয়ে তৈরি, যা জারা প্রতিরোধের ভাল এবং উচ্চ তাপমাত্রা এবং তাপীয় শকের জন্য দুর্দান্ত প্রতিরোধ ক্ষমতা রাখে। উন্নত সিরামিকগুলি উচ্চ-ক্ষমতার ওয়েফার ক্যারিয়ারগুলির জন্য কণা এবং দূষকগুলি প্রশমিত করার সময় দুর্দান্ত তাপ প্রতিরোধক এবং প্লাজমা স্থায়িত্ব প্রদান করে।
সেমিকোরেক্সে, আমরা উচ্চ-মানের, সাশ্রয়ী সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোট প্রদানের উপর ফোকাস করি, আমরা গ্রাহক সন্তুষ্টিকে অগ্রাধিকার দিই এবং সাশ্রয়ী সমাধান প্রদান করি। আমরা আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ, উচ্চ-মানের পণ্য এবং ব্যতিক্রমী গ্রাহক পরিষেবা সরবরাহ করার জন্য।
আমাদের সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোট সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোটের পরামিতি

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য
সূচক	ইউনিট	মান
উপাদানের নাম		সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড বিক্রিয়া	চাপহীন সিন্টারযুক্ত সিলিকন কার্বাইড	সিলিকন কার্বাইড পুনর্নির্মাণ
রচনা		RBSiC	এসএসআইসি	R-SiC
বাল্ক ঘনত্ব	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
নমনীয় শক্তি	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
কম্প্রেসিভ স্ট্রেন্থ	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
কঠোরতা	বোতাম	2700	2800	/
ব্রেকিং টেনাসিটি	এমপিএ এম 1/2	4.5	4	/
তাপ পরিবাহিতা	W/m.k	95	120	23
তাপ সম্প্রসারণের সহগ	10^-6.1/°সে	5	4	4.7
নির্দিষ্ট তাপ	জুল/জি 0k	0.8	0.67	/
বাতাসে সর্বোচ্চ তাপমাত্রা	℃	1200	1500	1600
ইলাস্টিক মডুলাস	জিপিএ	360	410	240

SSiC এবং RBSiC এর মধ্যে পার্থক্য:

1. Sintering প্রক্রিয়া ভিন্ন. RBSiC হল কম তাপমাত্রায় সিলিকন কার্বাইডে বিনামূল্যে Si অনুপ্রবেশ করা, SSiC 2100 ডিগ্রিতে প্রাকৃতিক সংকোচনের দ্বারা গঠিত হয়।

2. SSiC এর মসৃণ পৃষ্ঠ, উচ্চ ঘনত্ব এবং উচ্চ শক্তি আছে, আরও কঠোর পৃষ্ঠের প্রয়োজনীয়তা সহ কিছু সিলিংয়ের জন্য, SSiC আরও ভাল হবে।

3. বিভিন্ন PH এবং তাপমাত্রার অধীনে বিভিন্ন ব্যবহৃত সময়, SSiC RBSiC থেকে দীর্ঘ

সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোটের বৈশিষ্ট্য

উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের এবং তাপ অভিন্নতা
একটি মসৃণ পৃষ্ঠের জন্য সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক প্রলিপ্ত
রাসায়নিক পরিষ্কারের বিরুদ্ধে উচ্চ স্থায়িত্ব
উপাদানটি এমনভাবে ডিজাইন করা হয়েছে যাতে ফাটল এবং ডিলামিনেশন না ঘটে।