ব্যতিক্রমী বিশুদ্ধতার একটি সিলিকন কার্বাইড থেকে তৈরি, ওয়েফার হ্যান্ডলিংয়ের জন্য সেমিকোরেক্স SiC বোটটি এমন একটি নির্মাণের গর্ব করে যাতে ওয়েফারগুলিকে সুরক্ষিত করার জন্য নির্ভুল স্লটগুলি অন্তর্ভুক্ত থাকে, অপারেশনাল পদ্ধতির সময় যে কোনও নড়াচড়া প্রশমিত করে। উপাদান হিসাবে সিলিকন কার্বাইডের পছন্দ শুধুমাত্র কঠোরতা এবং স্থিতিস্থাপকতাই নয় বরং উচ্চ তাপমাত্রা এবং রাসায়নিকের এক্সপোজার সহ্য করার ক্ষমতাও নিশ্চিত করে। এটি ওয়েফার হ্যান্ডলিং-এর জন্য SiC বোটকে অনেকগুলি অর্ধপরিবাহী উত্পাদন পর্যায়ে একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান করে তোলে, যেমন ক্রিস্টালের চাষ, প্রসারণ, আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং এচিং প্রক্রিয়া।
ওজন এবং উচ্চতর তাপ পরিবাহী বৈশিষ্ট্যের শক্তির অতুলনীয় অনুপাত এবং ওয়েফার হ্যান্ডলিংয়ের জন্য Semicorex SiC বোট একটি CVD SiC আবরণের মাধ্যমে আরও উন্নত প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায়। এই অতিরিক্ত আবরণ স্তরটি প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশের কঠোরতার প্রতি এর প্রতিরোধকে প্রশস্ত করে এবং এটিকে রাসায়নিক অবক্ষয় এবং তাপীয় ওঠানামা উভয় থেকে রক্ষা করে, উল্লেখযোগ্যভাবে এর কর্মক্ষম আয়ুষ্কাল প্রসারিত করে এবং কঠোর কর্মক্ষম চাহিদার অধীনে সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
অ্যানিলিং বা ডিফিউশনের মতো তাপীয় ক্রিয়াকলাপে, ওয়েফার হ্যান্ডলিংয়ের জন্য SiC বোট ওয়েফারের পৃষ্ঠে সমান তাপমাত্রা বন্টন অর্জনে সহায়ক। এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা কার্যকর তাপ বিচ্ছুরণকে সহজতর করে, তাপীয় বৈষম্য হ্রাস করে এবং প্রক্রিয়ার ফলাফলে অভিন্নতা প্রচার করে।
ওয়েফার হ্যান্ডলিংয়ের জন্য Semicorex SiC বোটটি তার নির্ভরযোগ্যতা এবং অসামান্য কর্মক্ষমতার জন্য সম্মানিত, সমসাময়িক সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। ব্যাচ এবং পৃথক ওয়েফার প্রক্রিয়া উভয়ের জন্যই এর অভিযোজনযোগ্যতার সাথে, ওয়েফার হ্যান্ডলিংয়ের জন্য SiC বোটটি উচ্চতর পণ্যের মান এবং সর্বাধিক ফলন অর্জনের জন্য নিবেদিত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন সুবিধাগুলির জন্য একটি অপরিহার্য হাতিয়ার হিসাবে দাঁড়িয়েছে। ওয়েফারগুলির অখণ্ডতা এবং নির্ভরযোগ্যতা, সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন সরঞ্জাম, শিল্প ডিভাইস এবং প্রতিস্থাপনের অংশ হিসাবে ব্যাপক প্রয়োগের সন্ধান করা।