SiC-কোটেড এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর

সেমিকন্ডাক্টরসাবস্ট্রেটগ্যাস প্রবাহের দিক (অনুভূমিক এবং উল্লম্ব), তাপমাত্রা, চাপ, সাবস্ট্রেট ফিক্সেশন এবং কণা দূষণ সহ একাধিক গুরুত্বপূর্ণ কারণের প্রভাবের কারণে এপিটাক্সিয়াল ডিপোজিশনের সময় MOCVD বা CVD সরঞ্জামের বেসে সরাসরি সেট করা যাবে না। এই কারণে, এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরগুলিকে MOCVD/CVD সিস্টেমে প্রতিক্রিয়া চেম্বারের কেন্দ্রে অবস্থান করা প্রয়োজন যাতে সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটগুলিকে সমর্থন এবং সুরক্ষিত করা যায়, এইভাবে কম্পন বা অবস্থানগত স্থানচ্যুতি দ্বারা সৃষ্ট এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির মানের অবক্ষয় প্রতিরোধ করে।

উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট সেমিকোরেক্সের ম্যাট্রিক্স উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়SiC-কোটেড এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর, উন্নত CVD কৌশল দ্বারা তাদের পৃষ্ঠে জমা সিলিকন কার্বাইড আবরণ সহ। Semicorex SiC-কোটেড এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টর হল এপিটাক্সিয়াল স্তর গঠন প্রক্রিয়ার অপরিহার্য উপাদান। তাদের প্রাথমিক ভূমিকা হল সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটগুলিতে এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির জন্য একটি স্থিতিশীল এবং নিয়ন্ত্রণযোগ্য অপারেটিং পরিবেশ প্রদান করা, যা এর ফলে ওয়েফার পৃষ্ঠের গুণমানের ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করতে পারে।

সেমিকোরেক্স এসআইসি-কোটেড এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরগুলির বৈশিষ্ট্য

1. অসামান্য উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের 1600℃ অপারেটিং শর্ত সহ্য করার জন্য।

2. উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, অর্ধপরিবাহী স্তরগুলিতে অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন বজায় রাখতে দ্রুত তাপ স্থানান্তর সরবরাহ করে।

3. রাসায়নিক অবক্ষয় এবং ক্ষয় প্রতিরোধ করার জন্য শক্তিশালী রাসায়নিক জারা প্রতিরোধের, সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির প্রক্রিয়া দূষণ এড়ানো।

4.উচ্চতর তাপ শক প্রতিরোধের আবরণ ক্র্যাকিং এবং delamination ঘটনা এড়াতে.

5. ব্যতিক্রমী পৃষ্ঠের সমতলতা, ফাঁক এবং ত্রুটিগুলিকে কম করে এমন সাবস্ট্রেটগুলির সাথে snugly ফিটিং।

6. দীর্ঘ সেবা জীবন, অংশ প্রতিস্থাপন এবং রক্ষণাবেক্ষণ দ্বারা সৃষ্ট সময় এবং অর্থনৈতিক ক্ষতি হ্রাস.

সেমিকোরেক্স এসআইসি-কোটেড এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরগুলির অ্যাপ্লিকেশন

একাধিক চমৎকার সুবিধা সহ, Semicorex SiC-কোটেড এপিটাক্সিয়াল সাসেপ্টরগুলি এপিটাক্সিয়াল পাতলা ফিল্মগুলির অভিন্ন এবং নিয়ন্ত্রণযোগ্য বৃদ্ধির সুবিধার্থে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে এবং সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায় ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা হয়।

1.GaN এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি

2.SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি

3.Si এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি