SiC-কোটেড ICP উপাদান

সেমিকোরেক্সের SiC-কোটেড ICP উপাদান বিশেষভাবে উচ্চ-তাপমাত্রা ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়া যেমন এপিটাক্সি এবং MOCVD-এর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। একটি সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ সহ, আমাদের ক্যারিয়ারগুলি উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধের প্রদান করে।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকোরেক্স-এর SiC-কোটেড ICP কম্পোনেন্ট হল ওয়েফার হ্যান্ডলিং প্রক্রিয়াগুলির জন্য শীর্ষ পছন্দ যার জন্য উচ্চ-তাপমাত্রা এবং রাসায়নিক প্রতিরোধের প্রয়োজন। আমাদের বাহকগুলি এমনকি তাপীয় প্রোফাইল, ল্যামিনার গ্যাস প্রবাহের প্যাটার্ন প্রদান করে এবং আমাদের সূক্ষ্ম SiC ক্রিস্টালকে ধন্যবাদ দূষণ বা অমেধ্য বিস্তার প্রতিরোধ করে। একটি সূক্ষ্ম SiC স্ফটিক আবরণ সহ, আমাদের ক্যারিয়ারগুলি উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের, এমনকি তাপীয় অভিন্নতা এবং টেকসই রাসায়নিক প্রতিরোধের প্রদান করে।
Semicorex-এ, আমরা আমাদের গ্রাহকদের উচ্চ-মানের, সাশ্রয়ী পণ্য সরবরাহ করার উপর ফোকাস করি। আমাদের SiC-কোটেড ICP কম্পোনেন্টের মূল্য সুবিধা রয়েছে এবং অনেক ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারে রপ্তানি করা হয়। আমরা আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হতে লক্ষ্য রাখি, ধারাবাহিক মানের পণ্য এবং ব্যতিক্রমী গ্রাহক পরিষেবা সরবরাহ করা।
আমাদের SiC-কোটেড ICP উপাদান সম্পর্কে আরও জানতে আজই আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।

SiC-কোটেড ICP উপাদানের পরামিতি

CVD-SIC আবরণ প্রধান স্পেসিফিকেশন
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ
ঘনত্ব	g/cm ³	3.21
কঠোরতা	ভিকারস কঠোরতা	2500
শস্য আকার	μm	2~10
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	%	99.99995
তাপ ক্ষমতা	J kg-1 K-1	640
পরমানন্দ তাপমাত্রা	℃	2700
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ	MPa (RT 4-পয়েন্ট)	415
তরুণের মডুলাস	Gpa (4pt বাঁক, 1300℃)	430
তাপীয় সম্প্রসারণ (C.T.E)	10-6K-1	4.5
তাপ পরিবাহিতা	(W/mK)	300