LPE SiC-Epi হাফমুন

সরঞ্জামের উপাদানগুলিকে রক্ষা করে, দূষণ প্রতিরোধ করে, এবং ধারাবাহিক প্রক্রিয়া পরিস্থিতি নিশ্চিত করে, Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon সেমিকন্ডাক্টর শিল্পকে আরও বেশি পরিশীলিত এবং উচ্চ-পারফরম্যান্স ডিভাইস তৈরি করার ক্ষমতা দেয় যা আমাদের প্রযুক্তিগত বিশ্বকে শক্তি দেয়।

অনেক উপকরণ উচ্চ তাপমাত্রায় কর্মক্ষমতা অবনতির শিকার হয়, কিন্তু CVD TaC নয়। LPE SiC-Epi হাফমুন, এর ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং অক্সিডেশন প্রতিরোধের সাথে, এপিটাক্সি রিঅ্যাক্টরগুলির মধ্যে উচ্চ তাপমাত্রার মধ্যেও গঠনগতভাবে শক্তিশালী এবং রাসায়নিকভাবে নিষ্ক্রিয় থাকে। এটি সামঞ্জস্যপূর্ণ গরম করার প্রোফাইলগুলি নিশ্চিত করে, অবনমিত উপাদানগুলি থেকে দূষণ প্রতিরোধ করে এবং নির্ভরযোগ্য স্ফটিক বৃদ্ধি সক্ষম করে। এই স্থিতিস্থাপকতাটি TaC-এর উচ্চ গলনাঙ্ক (3800°C এর বেশি) এবং অক্সিডেশন এবং তাপীয় শক এর প্রতিরোধ থেকে উদ্ভূত হয়।

অনেক এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া ক্রমবর্ধমান স্ফটিকের উপাদান পরমাণু সরবরাহ করার জন্য সিলেন, অ্যামোনিয়া এবং ধাতব পদার্থের মতো প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের উপর নির্ভর করে। এই গ্যাসগুলি অত্যন্ত ক্ষয়কারী হতে পারে, চুল্লির উপাদানগুলিকে আক্রমণ করতে পারে এবং সম্ভাব্য সূক্ষ্ম এপিটাক্সিয়াল স্তরকে দূষিত করতে পারে। LPE SiC-Epi হাফমুন রাসায়নিক হুমকির বাধার বিরুদ্ধে প্রতিবাদী দাঁড়িয়েছে। প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসগুলির অন্তর্নিহিত জড়তা l TaC জালির মধ্যে শক্তিশালী রাসায়নিক বন্ধন থেকে উদ্ভূত হয়, এই গ্যাসগুলিকে আবরণের সাথে প্রতিক্রিয়া বা বিচ্ছুরণ থেকে বাধা দেয়। এই ব্যতিক্রমী রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতা কঠোর রাসায়নিক প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশে উপাদানগুলিকে রক্ষা করার জন্য LPE SiC-Epi হাফমুনকে একটি উল্লেখযোগ্য অংশ করে তোলে।

ঘর্ষণ কার্যক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ুর শত্রু। LPE SiC-Epi Halfmoon-এর CVD TaC আবরণ পরিধানের বিরুদ্ধে একটি অদম্য ঢাল হিসেবে কাজ করে, ঘর্ষণ সহগকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং অপারেশনের সময় উপাদানের ক্ষতি কমিয়ে দেয়। এই ব্যতিক্রমী পরিধান প্রতিরোধের উচ্চ-চাপ প্রয়োগের ক্ষেত্রে বিশেষভাবে মূল্যবান যেখানে এমনকি মাইক্রোস্কোপিক পরিধান উল্লেখযোগ্য কর্মক্ষমতা হ্রাস এবং অকাল ব্যর্থতার দিকে নিয়ে যেতে পারে। LPE SiC-Epi হাফমুন এই অঙ্গনে পারদর্শী, ব্যতিক্রমী কনফরমাল কভারেজ অফার করে যা এমনকি সবচেয়ে জটিল জ্যামিতিগুলিকেও একটি সম্পূর্ণ এবং প্রতিরক্ষামূলক স্তর প্রাপ্ত করে, কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু বৃদ্ধি করে।

সেই দিনগুলি চলে গেছে যখন CVD TaC আবরণগুলি ছোট, বিশেষ উপাদানগুলিতে সীমাবদ্ধ ছিল। ডিপোজিশন প্রযুক্তির অগ্রগতিগুলি 750 মিমি ব্যাস পর্যন্ত সাবস্ট্রেটগুলিতে আবরণ তৈরি করতে সক্ষম করেছে, আরও বেশি চাহিদাযুক্ত অ্যাপ্লিকেশনগুলি পরিচালনা করতে সক্ষম আরও বড়, আরও শক্তিশালী উপাদানগুলির জন্য পথ প্রশস্ত করেছে।

LPE চুল্লির জন্য 8-ইঞ্চি হাফমুন অংশ

এপিটাক্সিতে CVD TaC আবরণের সুবিধা:

উন্নত ডিভাইস কর্মক্ষমতা:প্রক্রিয়ার বিশুদ্ধতা এবং অভিন্নতা বজায় রাখার মাধ্যমে, CVD TaC আবরণ উন্নত বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য সহ উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধিতে অবদান রাখে, যার ফলে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলিতে কর্মক্ষমতা উন্নত হয়।

বর্ধিত থ্রুপুট এবং ফলন:CVD TaC-কোটেড উপাদানগুলির বর্ধিত আয়ুষ্কাল রক্ষণাবেক্ষণ এবং প্রতিস্থাপনের সাথে যুক্ত ডাউনটাইম হ্রাস করে, যার ফলে উচ্চ চুল্লি আপটাইম এবং উত্পাদন থ্রুপুট বৃদ্ধি পায়। উপরন্তু, দূষণের ঝুঁকি হ্রাস করা ব্যবহারযোগ্য ডিভাইসের উচ্চ ফলনে অনুবাদ করে।

খরচ-কার্যকারিতা:যদিও CVD TaC আবরণগুলির অগ্রিম খরচ বেশি হতে পারে, তবে তাদের বর্ধিত আয়ুষ্কাল, হ্রাস রক্ষণাবেক্ষণের প্রয়োজনীয়তা এবং উন্নত ডিভাইসের ফলন এপিটাক্সি সরঞ্জামের জীবনকালের জন্য উল্লেখযোগ্য খরচ সাশ্রয়ে অবদান রাখে।