TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টর

সেমিকোরেক্স TaC লেপ ওয়েফার সাসেপ্টর হল একটি গ্রাফাইট ট্রে যা ট্যান্টালম কার্বাইড দিয়ে লেপা, সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে ওয়েফারের গুণমান এবং কর্মক্ষমতা বাড়াতে ব্যবহৃত হয়। এর উন্নত আবরণ প্রযুক্তি এবং টেকসই সমাধানগুলির জন্য Semicorex বেছে নিন যা উচ্চতর SiC এপিটাক্সি ফলাফল এবং বর্ধিত সাসেপ্টর জীবনকাল নিশ্চিত করে।*

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

Semicorex TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টর হল সিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান। উন্নত আবরণ প্রযুক্তির সাথে ডিজাইন করা, এই সাসেপ্টরটি উচ্চ-মানের গ্রাফাইট থেকে তৈরি করা হয়েছে, একটি টেকসই এবং স্থিতিশীল কাঠামো প্রদান করে এবং ট্যান্টালম কার্বাইডের একটি স্তর দিয়ে প্রলিপ্ত। এই উপকরণগুলির সংমিশ্রণ নিশ্চিত করে যে TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টর উচ্চ তাপমাত্রা এবং প্রতিক্রিয়াশীল পরিবেশকে SiC এপিটাক্সিতে সাধারণভাবে সহ্য করতে পারে, পাশাপাশি এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির গুণমানকে উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে।

সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, বিশেষ করে উচ্চ শক্তি, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং চরম তাপীয় স্থিতিশীলতার প্রয়োজন হয়, যেমন পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং আরএফ ডিভাইস। SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন, TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টর সাবস্ট্রেটটিকে সুরক্ষিতভাবে ধরে রাখে, ওয়েফারের পৃষ্ঠ জুড়ে অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন নিশ্চিত করে। এই তাপমাত্রার সামঞ্জস্য উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তর তৈরির জন্য অত্যাবশ্যক, কারণ এটি সরাসরি স্ফটিক বৃদ্ধির হার, অভিন্নতা এবং ত্রুটির ঘনত্বকে প্রভাবিত করে।

TaC আবরণ একটি স্থিতিশীল, জড় পৃষ্ঠ প্রদান করে সাসেপ্টরের কর্মক্ষমতা বাড়ায় যা দূষণকে কম করে এবং তাপ ও রাসায়নিক প্রতিরোধের উন্নতি করে। এর ফলে SiC এপিটাক্সির জন্য একটি পরিষ্কার, আরও নিয়ন্ত্রিত পরিবেশ তৈরি হয়, যার ফলে ভাল ওয়েফারের গুণমান এবং ফলন বৃদ্ধি পায়।

TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টরটি বিশেষভাবে উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যার জন্য উচ্চ-মানের SiC এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধি প্রয়োজন। এই প্রক্রিয়াগুলি সাধারণত পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, আরএফ ডিভাইস এবং উচ্চ-তাপমাত্রার উপাদানগুলির উত্পাদনে ব্যবহৃত হয়, যেখানে SiC-এর উচ্চতর তাপীয় এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলি সিলিকনের মতো ঐতিহ্যবাহী সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলির তুলনায় উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে।

বিশেষ করে, TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টর উচ্চ-তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) চুল্লিগুলিতে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত, যেখানে এটি পারফরম্যান্সের সাথে আপোস না করে SiC এপিটাক্সির কঠোর অবস্থাকে সহ্য করতে পারে। সামঞ্জস্যপূর্ণ, নির্ভরযোগ্য ফলাফল প্রদান করার ক্ষমতা এটিকে পরবর্তী প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির উত্পাদনে একটি অপরিহার্য উপাদান করে তোলে।

Semicorex TaC আবরণ ওয়েফার সাসেপ্টর SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির ক্ষেত্রে একটি উল্লেখযোগ্য অগ্রগতির প্রতিনিধিত্ব করে। গ্রাফাইটের কাঠামোগত স্থায়িত্বের সাথে ট্যানটালাম কার্বাইডের তাপ এবং রাসায়নিক প্রতিরোধের সমন্বয় করে, এই সাসেপ্টর উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-চাপ পরিবেশে অতুলনীয় কর্মক্ষমতা প্রদান করে। দূষণ কমিয়ে এবং জীবনকাল বাড়ানোর সময় SiC এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির গুণমান উন্নত করার ক্ষমতা এটিকে উচ্চ-পারফরম্যান্স ডিভাইস তৈরি করতে চাওয়া সেমিকন্ডাক্টর নির্মাতাদের জন্য একটি অমূল্য হাতিয়ার করে তোলে।