চীন ওয়েফার প্রস্তুতকারক, সরবরাহকারী, কারখানা

সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার কি?

একটি সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার হল সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের একটি পাতলা, গোলাকার স্লাইস যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ICs) এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির তৈরির ভিত্তি হিসাবে কাজ করে। ওয়েফার একটি সমতল এবং অভিন্ন পৃষ্ঠ প্রদান করে যার উপর বিভিন্ন ইলেকট্রনিক উপাদান তৈরি করা হয়।

ওয়েফার উত্পাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে বেশ কয়েকটি ধাপ জড়িত, যার মধ্যে রয়েছে পছন্দসই সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের একটি বড় একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি করা, হীরার করাত ব্যবহার করে ক্রিস্টালটিকে পাতলা ওয়েফারে টুকরো করা, এবং তারপরে পৃষ্ঠের ত্রুটি বা অমেধ্য দূর করতে ওয়েফারগুলিকে পালিশ করা এবং পরিষ্কার করা। ফলস্বরূপ ওয়েফারগুলির একটি অত্যন্ত সমতল এবং মসৃণ পৃষ্ঠ থাকে, যা পরবর্তী বানোয়াট প্রক্রিয়াগুলির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

একবার ওয়েফারগুলি প্রস্তুত হয়ে গেলে, তারা ইলেকট্রনিক উপাদান তৈরির জন্য প্রয়োজনীয় জটিল নিদর্শন এবং স্তরগুলি তৈরি করতে ফটোলিথোগ্রাফি, এচিং, ডিপোজিশন এবং ডোপিংয়ের মতো অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির একটি সিরিজের মধ্য দিয়ে যায়। একাধিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট বা অন্যান্য ডিভাইস তৈরি করতে এই প্রক্রিয়াগুলি একক ওয়েফারে একাধিকবার পুনরাবৃত্তি হয়।

বানোয়াট প্রক্রিয়া সম্পূর্ণ হওয়ার পরে, পৃথক চিপগুলিকে পূর্বনির্ধারিত লাইন বরাবর ওয়েফার ডাইসিং করে আলাদা করা হয়। বিচ্ছিন্ন চিপগুলি তারপরে তাদের সুরক্ষার জন্য প্যাকেজ করা হয় এবং ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে একীকরণের জন্য বৈদ্যুতিক সংযোগ প্রদান করে।

ওয়েফার উপর বিভিন্ন উপকরণ

সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলি প্রাথমিকভাবে একক-ক্রিস্টাল সিলিকন থেকে তৈরি করা হয় এর প্রাচুর্যতা, চমৎকার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং মান অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির সাথে সামঞ্জস্যের কারণে। যাইহোক, নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন এবং প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে, অন্যান্য উপকরণগুলিও ওয়েফার তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। এখানে কিছু উদাহরণঃ:

সিলিকন কার্বাইড (SiC): SiC একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা তার চমৎকার তাপ পরিবাহিতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রার কর্মক্ষমতার জন্য পরিচিত। SiC ওয়েফারগুলি উচ্চ-ক্ষমতার ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়, যেমন পাওয়ার কনভার্টার, ইনভার্টার এবং বৈদ্যুতিক গাড়ির উপাদানগুলিতে।

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN): GaN হল একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যার অসাধারণ পাওয়ার হ্যান্ডলিং ক্ষমতা রয়েছে। GaN ওয়েফারগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যামপ্লিফায়ার এবং LEDs (আলো-নির্গত ডায়োড) উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়।

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs): GaAs হল আরেকটি সাধারণ উপাদান যা ওয়েফারের জন্য ব্যবহৃত হয়, বিশেষ করে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-গতির অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে। GaAs ওয়েফারগুলি নির্দিষ্ট কিছু ইলেকট্রনিক ডিভাইস যেমন RF (রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি) এবং মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসগুলির জন্য আরও ভাল কর্মক্ষমতা প্রদান করে।

ইন্ডিয়াম ফসফাইড (InP): InP হল চমৎকার ইলেক্ট্রন গতিশীলতা সহ একটি উপাদান এবং প্রায়শই লেজার, ফটোডিটেক্টর এবং উচ্চ-গতির ট্রানজিস্টরের মতো অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়। InP ওয়েফারগুলি ফাইবার-অপটিক যোগাযোগ, স্যাটেলাইট যোগাযোগ এবং উচ্চ-গতির ডেটা ট্রান্সমিশনের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।