> খবর

খবর

সাবস্ট্রেট কাটিং এবং গ্রাইন্ডিং প্রক্রিয়া

SiC সাবস্ট্রেট উপাদান হল SiC চিপের মূল। সাবস্ট্রেটের উৎপাদন প্রক্রিয়া হল: একক স্ফটিক বৃদ্ধির মাধ্যমে SiC ক্রিস্টাল ইনগট পাওয়ার পর; তারপর SiC সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করার জন্য মসৃণ করা, গোলাকার, কাটা, নাকাল (পাতলা করা) প্রয়োজন; যান্ত্রিক মসৃণতা, রাসায়নিক যান্ত্রিক মসৃণতা; এবং পরিষ্কার, পরীক্ষা, ইত্যা......

আরও পড়ুন

প্রথম 6 ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড সাবস্ট্রেট শিল্পায়ন কোম্পানি

সম্প্রতি, আমাদের কোম্পানি ঘোষণা করেছে যে কোম্পানি সফলভাবে 6-ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড একক ক্রিস্টাল ঢালাই পদ্ধতি ব্যবহার করে বিকশিত করেছে, 6-ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি প্রযুক্তি আয়ত্ত করার জন্য প্রথম দেশীয় শিল্পোন্নত কোম্পানি হয়ে উঠেছে।

আরও পড়ুন

বিভিন্ন কাঠামোর সাথে SiC স্ফটিকের মধ্যে পার্থক্য

সিলিকন কার্বাইড (SiC) হল এমন একটি উপাদান যা ব্যতিক্রমী তাপীয়, ভৌত এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা ধারণ করে, বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে যা প্রচলিত উপকরণগুলির বাইরে যায়৷ এর তাপ পরিবাহিতা একটি আশ্চর্যজনক 84W/(m·K), যা শুধুমাত্র তামার চেয়ে বেশি নয় বরং সিলিকনের চেয়েও তিনগুণ বেশি। এটি তাপ ব্যবস্থাপনা অ্যাপ......

আরও পড়ুন

গ্রাফাইটের উপর একটি TaC আবরণ কি?

সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের দ্রুত বিকশিত ক্ষেত্রে, এমনকি সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা, স্থায়িত্ব এবং দক্ষতা অর্জনের ক্ষেত্রে ক্ষুদ্রতম উন্নতিগুলিও একটি বড় পার্থক্য আনতে পারে। একটি অগ্রগতি যা শিল্পে প্রচুর গুঞ্জন তৈরি করছে তা হল গ্রাফাইট পৃষ্ঠে TaC (ট্যান্টালম কার্বাইড) আবরণের ব্যবহার। কিন্তু TaC আবরণ ঠিক কী এ......

আরও পড়ুন

তাপ ক্ষেত্র নিরোধক উপাদান

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধির প্রক্রিয়াটি প্রধানত একটি তাপ ক্ষেত্রের মধ্যে ঘটে, যেখানে তাপীয় পরিবেশের গুণমান স্ফটিক গুণমান এবং বৃদ্ধির দক্ষতাকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে। তাপীয় ক্ষেত্রের নকশা ফার্নেস চেম্বারের মধ্যে তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট এবং গ্যাস প্রবাহের গতিশীলতা গঠনে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূম......

আরও পড়ুন

SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর কি?

SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর প্রবর্তন করার জন্য, এটির প্রয়োগ বোঝা গুরুত্বপূর্ণ। ডিভাইস তৈরি করার সময়, কিছু ওয়েফার সাবস্ট্রেটে আরও এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি তৈরি করা প্রয়োজন।

আরও পড়ুন

<...24 25 26 27 28...37 >