একটি পি-টাইপ সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার হল একটি সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট যা পি-টাইপ (পজিটিভ) পরিবাহিতা তৈরি করতে অমেধ্য দিয়ে ডোপ করা হয়। সিলিকন কার্বাইড একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা ব্যতিক্রমী বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলি সরবরাহ করে, এটি উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-তাপমাত্রার......
আরও পড়ুনগ্রাফাইট সাসেপ্টর হল এমওসিভিডি সরঞ্জামের অন্যতম অপরিহার্য অংশ, ওয়েফার সাবস্ট্রেটের বাহক এবং হিটার। এর তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং তাপীয় অভিন্নতার বৈশিষ্ট্যগুলি ওয়েফার এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির গুণমানে একটি নিষ্পত্তিমূলক ভূমিকা পালন করে, যা সরাসরি স্তরের উপকরণগুলির অভিন্নতা এবং বিশুদ্ধতা নির্ধারণ করে, ফলস্......
আরও পড়ুনউচ্চ ভোল্টেজ ক্ষেত্রে, বিশেষ করে 20,000V এর উপরে উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইসের জন্য, SiC এপিটাক্সিয়াল প্রযুক্তি এখনও বেশ কয়েকটি চ্যালেঞ্জের মুখোমুখি। প্রধান অসুবিধাগুলির মধ্যে একটি হল এপিটাক্সিয়াল স্তরে উচ্চ অভিন্নতা, বেধ এবং ডোপিং ঘনত্ব অর্জন করা। এই ধরনের উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইস তৈরির জন্য, চমৎকার অভিন্নতা......
আরও পড়ুন