- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
শিল্প সংবাদ
প্রাথমিক বৃদ্ধির পর্যায়ে তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে উচ্চ-মানের SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি অর্জন
সিলিকন কার্বাইড (SiC) একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা সাম্প্রতিক বছরগুলিতে উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতার কারণে উল্লেখযোগ্য মনোযোগ আকর্ষণ করেছে। এই অধ্যয়নটি পরিবর্তিত প্রক্রিয়ার শর্তগুলি ব্যবহার করে উত্থিত SiC স্ফটিকগুলির বিভিন্ন বৈশিষ্......
আরও পড়ুন
এন-টাইপ 4H-SiC স্ফটিকগুলিতে বৈদ্যুতিক প্রতিরোধকতার বিতরণের উপর অধ্যয়ন
4H-SiC, একটি তৃতীয়-প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী উপাদান হিসাবে, এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার রাসায়নিক এবং তাপীয় স্থিতিশীলতার জন্য বিখ্যাত, এটি উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে অত্যন্ত মূল্যবান করে তুলেছে।
আরও পড়ুন
