> খবর > শিল্প সংবাদ

শিল্প সংবাদ

সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সি

ওয়েফার তৈরির প্রক্রিয়ায়, দুটি মূল লিঙ্ক রয়েছে: একটি হল সাবস্ট্রেটের প্রস্তুতি, এবং অন্যটি হল এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার বাস্তবায়ন। সাবস্ট্রেট, অর্ধপরিবাহী একক স্ফটিক উপাদান দিয়ে সাবধানে তৈরি একটি ওয়েফার, সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির ভিত্তি হিসাবে সরাসরি ওয়েফার উত্পাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে রাখা যেত......

আরও পড়ুন

সিলিকন ওয়েফার

সিলিকন উপাদান নির্দিষ্ট অর্ধপরিবাহী বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং শারীরিক স্থিতিশীলতা সহ একটি কঠিন উপাদান এবং পরবর্তী সমন্বিত সার্কিট উত্পাদন প্রক্রিয়ার জন্য সাবস্ট্রেট সমর্থন প্রদান করে। এটি সিলিকন-ভিত্তিক সমন্বিত সার্কিটের জন্য একটি মূল উপাদান। বিশ্বের 95% এর বেশি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস এবং 90% এরও বেশি ......

আরও পড়ুন

SiC কাটিং

সিলিকন কার্বাইড (SiC) তার চমৎকার ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের জন্য অর্ধপরিবাহী শিল্পে অত্যন্ত পছন্দের। যাইহোক, SiC এর উচ্চ কঠোরতা এবং ভঙ্গুরতা এর প্রক্রিয়াকরণে যথেষ্ট চ্যালেঞ্জ তৈরি করে।

আরও পড়ুন

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট কোর প্রসেস ফ্লো

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট হল একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী একক স্ফটিক উপাদান যা দুটি উপাদান, কার্বন এবং সিলিকন দ্বারা গঠিত। এটিতে বড় ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ সমালোচনামূলক ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি এবং উচ্চ ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফট রেট এর বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

আরও পড়ুন

সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে SiC সাবস্ট্রেট এবং ক্রিস্টাল বৃদ্ধির গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা

সিলিকন কার্বাইড (SiC) শিল্প শৃঙ্খলের মধ্যে, সাবস্ট্রেট সরবরাহকারীরা প্রধানত মূল্য বন্টনের কারণে উল্লেখযোগ্য লিভারেজ ধারণ করে। SiC সাবস্ট্রেটগুলি মোট মূল্যের 47%, তারপরে 23% এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি অনুসরণ করে, যখন ডিভাইস ডিজাইন এবং উত্পাদন বাকি 30% গঠন করে। এই উল্টানো মান শৃঙ্খলটি সাবস্ট্রেট এবং এপিটা......

আরও পড়ুন

বৈদ্যুতিক যানবাহনে SiC এবং GaN এর প্রয়োগ

SiC MOSFET হল ট্রানজিস্টর যা উচ্চ শক্তির ঘনত্ব, উন্নত কার্যকারিতা এবং উচ্চ তাপমাত্রায় কম ব্যর্থতার হার অফার করে। SiC MOSFET-এর এই সুবিধাগুলি বৈদ্যুতিক যানের (EVs) অনেক সুবিধা নিয়ে আসে, যার মধ্যে দীর্ঘ ড্রাইভিং পরিসীমা, দ্রুত চার্জিং এবং সম্ভাব্য কম খরচে ব্যাটারি বৈদ্যুতিক যান (BEVs) রয়েছে। গত পাঁ......

আরও পড়ুন

<...6 7 8 9 10...22 >