সম্প্রতি, Infineon Technologies ঘোষণা করেছে বিশ্বের প্রথম 300mm শক্তির Gallium Nitride (GaN) ওয়েফার প্রযুক্তির সফল বিকাশ।
মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন উৎপাদনে ব্যবহৃত তিনটি প্রাথমিক পদ্ধতি হল Czochralski (CZ) পদ্ধতি, Kyropoulos পদ্ধতি এবং ফ্লোট জোন (FZ) পদ্ধতি।
অক্সিডেশন প্রক্রিয়াগুলি ওয়েফারে একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর তৈরি করে এই ধরনের সমস্যা প্রতিরোধে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা অক্সাইড স্তর নামে পরিচিত, যা বিভিন্ন রাসায়নিকের মধ্যে একটি বাধা হিসাবে কাজ করে।
সিলিকন নাইট্রাইড (Si3N4) উন্নত উচ্চ-তাপমাত্রা কাঠামোগত সিরামিকের উন্নয়নে একটি মূল উপাদান।
এচিং প্রক্রিয়া: সিলিকন বনাম সিলিকন কার্বাইড
সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে, এচিং প্রক্রিয়ার নির্ভুলতা এবং স্থায়িত্ব সর্বাধিক গুরুত্বপূর্ণ। উচ্চ-মানের এচিং অর্জনের একটি গুরুত্বপূর্ণ কারণ হল প্রক্রিয়া চলাকালীন ট্রেতে ওয়েফারগুলি পুরোপুরি সমতল হয় তা নিশ্চিত করা।