- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
খবর
সিলিকন কার্বাইড (SiC) ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস
ক্রিস্টাল গ্রোথ হল সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট উৎপাদনের মূল লিঙ্ক, এবং মূল সরঞ্জাম হল স্ফটিক বৃদ্ধির চুল্লি। প্রথাগত স্ফটিক সিলিকন-গ্রেডের স্ফটিক বৃদ্ধির চুল্লিগুলির মতো, চুল্লির কাঠামো খুব জটিল নয় এবং এতে প্রধানত একটি ফার্নেস বডি, একটি হিটিং সিস্টেম, একটি কয়েল ট্রান্সমিশন মেকানিজম, একটি ভ্যাকুয়াম......
আরও পড়ুন
TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট উপাদানের প্রয়োগ এবং উন্নয়ন চ্যালেঞ্জ
তৃতীয় প্রজন্মের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ, যেমন গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এবং সিলিকন কার্বাইড (SiC), তাদের ব্যতিক্রমী অপটোইলেক্ট্রনিক রূপান্তর এবং মাইক্রোওয়েভ সিগন্যাল ট্রান্সমিশন ক্ষমতার জন্য বিখ্যাত। এই উপকরণগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-শক্তি এবং বিকিরণ-প্রতিরোধী......
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড অ্যাপ্লিকেশন
উদীয়মান শিল্প এবং ঐতিহ্যবাহী শিল্পে সিলিকন কার্বাইডের প্রচুর সংখ্যক অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে। বর্তমানে, বিশ্বব্যাপী সেমিকন্ডাক্টর বাজার 100 বিলিয়ন ইউয়ান ছাড়িয়েছে। আশা করা হচ্ছে যে 2025 সালের মধ্যে, সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন সামগ্রীর বিশ্বব্যাপী বিক্রয় 39.5 বিলিয়ন মার্কিন ডলারে পৌঁছাবে, যার মধ্যে সিলিক......
আরও পড়ুন
একটি SiC বোট কী এবং এর বিভিন্ন উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলি কী কী?
একটি SiC বোট, সিলিকন কার্বাইড বোটের জন্য সংক্ষিপ্ত, একটি উচ্চ-তাপমাত্রা-প্রতিরোধী আনুষঙ্গিক যা উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় ওয়েফার বহন করার জন্য ফার্নেস টিউবে ব্যবহৃত হয়। সিলিকন কার্বাইডের অসামান্য বৈশিষ্ট্য যেমন উচ্চ তাপমাত্রার প্রতিরোধ, রাসায়নিক ক্ষয় এবং চমৎকার তাপীয় স্থিতিশীলতার কারণে......
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং অ্যানিলিং প্রক্রিয়ার ভূমিকা
প্রথাগত সিলিকন পাওয়ার ডিভাইস তৈরিতে, উচ্চ-তাপমাত্রার প্রসারণ এবং আয়ন ইমপ্লান্টেশন ডোপ্যান্ট নিয়ন্ত্রণের জন্য প্রাথমিক পদ্ধতি হিসাবে দাঁড়িয়েছে, প্রতিটি তার সুবিধা এবং অসুবিধা সহ। সাধারণত, উচ্চ-তাপমাত্রার প্রসারণ এর সরলতা, খরচ-কার্যকারিতা, আইসোট্রপিক ডোপ্যান্ট ডিস্ট্রিবিউশন প্রোফাইল এবং জালির ক্ষ......
আরও পড়ুন
