উচ্চ-তাপমাত্রা উত্তাপের বিশ্বে, চরম পরিস্থিতিতে নির্ভুলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা অর্জন করা সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ। এই চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করার জন্য, উদ্ভাবনী উপকরণ এবং নকশাগুলি যা সম্ভব তার সীমানা ঠেলে তৈরি করা হয়েছে। এরকম একটি অগ্রগতি হল সিলিকন কার্বাইড (SiC) প্রলিপ্ত গ্রাফাইট গরম করার উপাদান।
আরও পড়ুনরাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) হল মহাকাশ, ইলেকট্রনিক্স এবং উপকরণ বিজ্ঞানের মতো শিল্পে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন সহ উচ্চ-মানের আবরণ তৈরি করার জন্য একটি বহুমুখী কৌশল। CVD-SiC আবরণ উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, যান্ত্রিক শক্তি এবং চমৎকার জারা প্রতিরোধ সহ তাদের ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্যের জন্য পরিচিত।
আরও পড়ুনট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ হল একটি গুরুত্বপূর্ণ উচ্চ-শক্তি, জারা-প্রতিরোধী এবং রাসায়নিকভাবে স্থিতিশীল উচ্চ-তাপমাত্রার কাঠামোগত উপাদান যার গলনাঙ্ক 4273 °C পর্যন্ত, যা সর্বোচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের একাধিক যৌগগুলির মধ্যে একটি। এটির চমৎকার উচ্চ-তাপমাত্রার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য, উচ্চ-গতির বায়ুপ্রবাহ স্কোরি......
আরও পড়ুনAlN, তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসাবে, শুধুমাত্র একটি গুরুত্বপূর্ণ নীল আলো এবং অতিবেগুনী আলো উপাদান নয়, এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যাকেজিং, ইলেক্ট্রনিক ডিভাইস এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যাকেজিং, অস্তরক বিচ্ছিন্নতা এবং নিরোধক উপাদান, বিশেষত উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-শ......
আরও পড়ুনতৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ AlN সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের অন্তর্গত, এর ব্যান্ডউইথ 6.2 eV, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, প্রতিরোধ ক্ষমতা, ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি, সেইসাথে চমৎকার রাসায়নিক এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা, শুধুমাত্র একটি গুরুত্বপূর্ণ নীল আলো নয়, অতিবেগুনী পদার্থ। , বা ইলেকট্রনিক ডিভাইস......
আরও পড়ুন