- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
শিল্প সংবাদ
সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট কোর প্রসেস ফ্লো
সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট হল একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী একক স্ফটিক উপাদান যা দুটি উপাদান, কার্বন এবং সিলিকন দ্বারা গঠিত। এটিতে বড় ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ সমালোচনামূলক ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি এবং উচ্চ ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফট রেট এর বৈশিষ্ট্য রয়েছে।
আরও পড়ুন
সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে SiC সাবস্ট্রেট এবং ক্রিস্টাল বৃদ্ধির গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা
সিলিকন কার্বাইড (SiC) শিল্প শৃঙ্খলের মধ্যে, সাবস্ট্রেট সরবরাহকারীরা প্রধানত মূল্য বন্টনের কারণে উল্লেখযোগ্য লিভারেজ ধারণ করে। SiC সাবস্ট্রেটগুলি মোট মূল্যের 47%, তারপরে 23% এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি অনুসরণ করে, যখন ডিভাইস ডিজাইন এবং উত্পাদন বাকি 30% গঠন করে। এই উল্টানো মান শৃঙ্খলটি সাবস্ট্রেট এবং এপিটা......
আরও পড়ুন
বৈদ্যুতিক যানবাহনে SiC এবং GaN এর প্রয়োগ
SiC MOSFET হল ট্রানজিস্টর যা উচ্চ শক্তির ঘনত্ব, উন্নত কার্যকারিতা এবং উচ্চ তাপমাত্রায় কম ব্যর্থতার হার অফার করে। SiC MOSFET-এর এই সুবিধাগুলি বৈদ্যুতিক যানের (EVs) অনেক সুবিধা নিয়ে আসে, যার মধ্যে দীর্ঘ ড্রাইভিং পরিসীমা, দ্রুত চার্জিং এবং সম্ভাব্য কম খরচে ব্যাটারি বৈদ্যুতিক যান (BEVs) রয়েছে। গত পাঁ......
আরও পড়ুন
৪র্থ প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর গ্যালিয়াম অক্সাইড/β-Ga2O3
অর্ধপরিবাহী পদার্থের প্রথম প্রজন্ম প্রধানত সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge) দ্বারা উপস্থাপিত হয়, যা 1950 এর দশকে বৃদ্ধি পেতে শুরু করে। জার্মেনিয়াম প্রারম্ভিক দিনগুলিতে প্রভাবশালী ছিল এবং এটি প্রধানত কম-ভোল্টেজ, কম-ফ্রিকোয়েন্সি, মাঝারি-পাওয়ার ট্রানজিস্টর এবং ফটোডিটেক্টরগুলিতে ব্যবহৃত হত, কিন্তু ......
আরও পড়ুন
ত্রুটিমুক্ত এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ এবং মিসফিট ডিসলোকেশন
ত্রুটি-মুক্ত এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি ঘটে যখন একটি স্ফটিক জালিতে অন্যটির সাথে প্রায় অভিন্ন জালির ধ্রুবক থাকে। বৃদ্ধি ঘটে যখন ইন্টারফেস অঞ্চলে দুটি জালির জালির সাইটগুলি প্রায় মিলে যায়, যা একটি ছোট জালির অমিল (0.1% এর কম) দ্বারা সম্ভব। এই আনুমানিক মিলটি এমনকি ইন্টারফেসে ইলাস্টিক স্ট্রেন দিয়েও অর্জন কর......
আরও পড়ুন
