সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার ডিভাইসগুলি হল সিলিকন কার্বাইড সামগ্রী দিয়ে তৈরি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, প্রধানত উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়। প্রথাগত সিলিকন (Si)-ভিত্তিক পাওয়ার ডিভাইসের সাথে তুলনা করে, সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার......
আরও পড়ুনসিলিকন কার্বাইড (SiC) এর ইতিহাস 1891 সালের দিকে, যখন কৃত্রিম হীরা সংশ্লেষণ করার চেষ্টা করার সময় এডওয়ার্ড গুডরিক অ্যাচেসন ঘটনাক্রমে এটি আবিষ্কার করেছিলেন। আচেসন একটি বৈদ্যুতিক চুল্লিতে কাদামাটি (অ্যালুমিনোসিলিকেট) এবং গুঁড়ো কোক (কার্বন) এর মিশ্রণকে গরম করে। প্রত্যাশিত হীরার পরিবর্তে, তিনি কার্বনের......
আরও পড়ুনতৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসেবে গ্যালিয়াম নাইট্রাইডকে প্রায়ই সিলিকন কার্বাইডের সাথে তুলনা করা হয়। গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এখনও তার বড় ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ স্যাচুরেটেড ইলেক্ট্রন প্রবাহ বেগ এবং শক্তিশালী বিকিরণ প্রতিরোধের সাথে তার শ্রেষ্ঠত্ব প্রদ......
আরও পড়ুননীল এলইডির জন্য পদার্থবিদ্যায় 2014 সালের নোবেল পুরস্কার প্রদানের পর GaN উপকরণগুলি বিশিষ্টতা অর্জন করেছে। প্রাথমিকভাবে কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স, GaN-ভিত্তিক পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার এবং RF ডিভাইসগুলিতে দ্রুত-চার্জিং অ্যাপ্লিকেশনের মাধ্যমে জনসাধারণের চোখে প্রবেশ করাও 5G বেস স্টেশনগুলিতে নিঃশব্দে গুরুত্বপ......
আরও পড়ুনসেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি এবং মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্সের ক্ষেত্রে, সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সির ধারণাগুলি উল্লেখযোগ্য গুরুত্ব রাখে। তারা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়াতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এই নিবন্ধটি সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সির মধ্যে পার্থক্যগুলি নিয়ে আলোচনা করবে, তাদের......
আরও পড়ুন