বাংলা ভাষার
বাড়ি > খবর

খবর

এআই এবং পদার্থবিজ্ঞানের ফিউশন: নোবেল পুরস্কারের পিছনে সিভিডি প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন

এআই এবং পদার্থবিজ্ঞানের ফিউশন: নোবেল পুরস্কারের পিছনে সিভিডি প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন

পদার্থবিজ্ঞানে 2024 সালের নোবেল পুরস্কারের সাম্প্রতিক ঘোষণা কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তার ক্ষেত্রে অভূতপূর্ব মনোযোগ এনেছে।

আরও পড়ুন
সেমিকন্ডাক্টর ডোপিং প্রক্রিয়া

সেমিকন্ডাক্টর ডোপিং প্রক্রিয়া

অর্ধপরিবাহী পদার্থের অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে একটি হল তাদের পরিবাহিতা, সেইসাথে তাদের পরিবাহিতা প্রকার (N-টাইপ বা পি-টাইপ) ডোপিং নামক একটি প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তৈরি এবং নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে। এর মধ্যে ওয়েফারের পৃষ্ঠে সংযোগস্থল তৈরির জন্য উপাদানের মধ্যে বিশেষায়িত অমেধ্য, যা ডোপ্যান্ট নামে পরিচিত......

আরও পড়ুন
PECVD প্রক্রিয়া

PECVD প্রক্রিয়া

প্লাজমা এনহ্যান্সড কেমিক্যাল ভ্যাপার ডিপোজিশন (PECVD) চিপ তৈরিতে একটি বহুল ব্যবহৃত প্রযুক্তি। এটি গ্যাস পর্যায়ে রাসায়নিক বিক্রিয়া সক্রিয় করতে প্লাজমার মধ্যে ইলেকট্রনের গতিশক্তি ব্যবহার করে, যার ফলে পাতলা-ফিল্ম জমা হয়।

আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণে ত্রুটি সনাক্তকরণ

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণে ত্রুটি সনাক্তকরণ

SiC সাবস্ট্রেট হল সিলিকন কার্বাইড শিল্পের সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, যার মূল্য প্রায় 50%। SiC সাবস্ট্রেট ব্যতীত, SiC ডিভাইসগুলি তৈরি করা অসম্ভব, সেগুলিকে প্রয়োজনীয় উপাদান ভিত্তি করে তোলে।

আরও পড়ুন
ডামি ওয়েফার কি

ডামি ওয়েফার কি

একটি ডামি ওয়েফার হল একটি বিশেষ ওয়েফার যা প্রাথমিকভাবে ওয়েফার উত্পাদন প্রক্রিয়া চলাকালীন মেশিনের সরঞ্জামগুলি পূরণ করতে ব্যবহৃত হয়।

আরও পড়ুন
GaN এর আবেদন

GaN এর আবেদন

অনেক ধরনের গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN), সিলিকন-ভিত্তিক GaN সবচেয়ে আলোচিত। এই প্রযুক্তিতে সরাসরি একটি সিলিকন সাবস্ট্রেটে ক্রমবর্ধমান GaN উপকরণ জড়িত।

আরও পড়ুন
<...56789...37>
অনুসন্ধানে এন্টার হিট বা বন্ধ করতে ESC
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept