> খবর

খবর

MOCVD জানা

MOCVD হল একটি নতুন বাষ্প ফেজ এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ প্রযুক্তি যা বাষ্প ফেজ এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ (VPE) এর ভিত্তিতে তৈরি করা হয়েছে।

আরও পড়ুন

TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট উপাদানের অ্যাপ্লিকেশন

ভৌত বাষ্প পরিবহন পদ্ধতি (PVT) দ্বারা SiC এবং AlN একক স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায়, ক্রুসিবল, বীজ স্ফটিক ধারক এবং গাইড রিংয়ের মতো উপাদানগুলি একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। SiC তৈরির প্রক্রিয়া চলাকালীন, বীজ স্ফটিক তুলনামূলকভাবে কম তাপমাত্রার অঞ্চলে অবস্থিত, যখন কাঁচামাল 2400 ডিগ্রি সেলসিয়াসের বে......

আরও পড়ুন

সাবস্ট্রেট কাটিং এবং গ্রাইন্ডিং প্রক্রিয়া

SiC সাবস্ট্রেট উপাদান হল SiC চিপের মূল। সাবস্ট্রেটের উৎপাদন প্রক্রিয়া হল: একক স্ফটিক বৃদ্ধির মাধ্যমে SiC ক্রিস্টাল ইনগট পাওয়ার পর; তারপর SiC সাবস্ট্রেট প্রস্তুত করার জন্য মসৃণ করা, গোলাকার, কাটা, নাকাল (পাতলা করা) প্রয়োজন; যান্ত্রিক মসৃণতা, রাসায়নিক যান্ত্রিক মসৃণতা; এবং পরিষ্কার, পরীক্ষা, ইত্যা......

আরও পড়ুন

প্রথম 6 ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড সাবস্ট্রেট শিল্পায়ন কোম্পানি

সম্প্রতি, আমাদের কোম্পানি ঘোষণা করেছে যে কোম্পানি সফলভাবে 6-ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড একক ক্রিস্টাল ঢালাই পদ্ধতি ব্যবহার করে বিকশিত করেছে, 6-ইঞ্চি গ্যালিয়াম অক্সাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি প্রযুক্তি আয়ত্ত করার জন্য প্রথম দেশীয় শিল্পোন্নত কোম্পানি হয়ে উঠেছে।

আরও পড়ুন

বিভিন্ন কাঠামোর সাথে SiC স্ফটিকের মধ্যে পার্থক্য

সিলিকন কার্বাইড (SiC) হল এমন একটি উপাদান যা ব্যতিক্রমী তাপীয়, ভৌত এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা ধারণ করে, বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে যা প্রচলিত উপকরণগুলির বাইরে যায়৷ এর তাপ পরিবাহিতা একটি আশ্চর্যজনক 84W/(m·K), যা শুধুমাত্র তামার চেয়ে বেশি নয় বরং সিলিকনের চেয়েও তিনগুণ বেশি। এটি তাপ ব্যবস্থাপনা অ্যাপ......

আরও পড়ুন

গ্রাফাইটের উপর একটি TaC আবরণ কি?

সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের দ্রুত বিকশিত ক্ষেত্রে, এমনকি সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা, স্থায়িত্ব এবং দক্ষতা অর্জনের ক্ষেত্রে ক্ষুদ্রতম উন্নতিগুলিও একটি বড় পার্থক্য আনতে পারে। একটি অগ্রগতি যা শিল্পে প্রচুর গুঞ্জন তৈরি করছে তা হল গ্রাফাইট পৃষ্ঠে TaC (ট্যান্টালম কার্বাইড) আবরণের ব্যবহার। কিন্তু TaC আবরণ ঠিক কী এ......

আরও পড়ুন

<...16 17 18 19 20...30 >