> খবর

খবর

SiC কাটিং

সিলিকন কার্বাইড (SiC) তার চমৎকার ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের জন্য অর্ধপরিবাহী শিল্পে অত্যন্ত পছন্দের। যাইহোক, SiC এর উচ্চ কঠোরতা এবং ভঙ্গুরতা এর প্রক্রিয়াকরণে যথেষ্ট চ্যালেঞ্জ তৈরি করে।

আরও পড়ুন

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস: ফ্যাব্রিকেশন প্রক্রিয়ার একটি ভূমিকা

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার বৃদ্ধি একটি জটিল প্রক্রিয়া, প্রায়শই একটি দ্বি-পদক্ষেপ পদ্ধতি ব্যবহার করে। এই পদ্ধতিতে উচ্চ-তাপমাত্রা বেকিং, বাফার স্তর বৃদ্ধি, পুনঃক্রিস্টালাইজেশন এবং অ্যানিলিং সহ বেশ কয়েকটি জটিল ধাপ জড়িত। এই সমস্ত ধাপ জুড়ে তাপমাত্রাকে সতর্কতার সাথে নিয়ন্ত্রণ ক......

আরও পড়ুন

Epitaxial এবং diffused Wafers এর মধ্যে পার্থক্য কি?

এপিটাক্সিয়াল এবং ডিফিউজড ওয়েফার উভয়ই সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে প্রয়োজনীয় উপাদান, তবে তারা তাদের বানোয়াট প্রক্রিয়া এবং লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উল্লেখযোগ্যভাবে পৃথক। এই নিবন্ধটি এই ওয়েফার প্রকারের মধ্যে মূল পার্থক্যগুলির মধ্যে তলিয়ে যায়।

আরও পড়ুন

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট কোর প্রসেস ফ্লো

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট হল একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী একক স্ফটিক উপাদান যা দুটি উপাদান, কার্বন এবং সিলিকন দ্বারা গঠিত। এটিতে বড় ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ সমালোচনামূলক ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি এবং উচ্চ ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফট রেট এর বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

আরও পড়ুন

সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে SiC সাবস্ট্রেট এবং ক্রিস্টাল বৃদ্ধির গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা

সিলিকন কার্বাইড (SiC) শিল্প শৃঙ্খলের মধ্যে, সাবস্ট্রেট সরবরাহকারীরা প্রধানত মূল্য বন্টনের কারণে উল্লেখযোগ্য লিভারেজ ধারণ করে। SiC সাবস্ট্রেটগুলি মোট মূল্যের 47%, তারপরে 23% এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি অনুসরণ করে, যখন ডিভাইস ডিজাইন এবং উত্পাদন বাকি 30% গঠন করে। এই উল্টানো মান শৃঙ্খলটি সাবস্ট্রেট এবং এপিটা......

আরও পড়ুন

বৈদ্যুতিক যানবাহনে SiC এবং GaN এর প্রয়োগ

SiC MOSFET হল ট্রানজিস্টর যা উচ্চ শক্তির ঘনত্ব, উন্নত কার্যকারিতা এবং উচ্চ তাপমাত্রায় কম ব্যর্থতার হার অফার করে। SiC MOSFET-এর এই সুবিধাগুলি বৈদ্যুতিক যানের (EVs) অনেক সুবিধা নিয়ে আসে, যার মধ্যে দীর্ঘ ড্রাইভিং পরিসীমা, দ্রুত চার্জিং এবং সম্ভাব্য কম খরচে ব্যাটারি বৈদ্যুতিক যান (BEVs) রয়েছে। গত পাঁ......

আরও পড়ুন

<...16 17 18 19 20...37 >