Infineon বিশ্বের প্রথম 300mm পাওয়ার GaN Wafer উন্মোচন করেছে

সম্প্রতি, Infineon Technologies ঘোষণা করেছে বিশ্বের প্রথম 300mm শক্তির Gallium Nitride (GaN) ওয়েফার প্রযুক্তির সফল বিকাশ। এটি তাদের এই যুগান্তকারী প্রযুক্তি আয়ত্ত করা এবং বিদ্যমান বৃহৎ-স্কেল, উচ্চ-ক্ষমতা উত্পাদন পরিবেশের মধ্যে ব্যাপক উত্পাদন অর্জনকারী প্রথম সংস্থা করে তোলে। এই উদ্ভাবনটি GaN-ভিত্তিক পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর বাজারে একটি উল্লেখযোগ্য অগ্রগতি চিহ্নিত করে।

কিভাবে 300mm প্রযুক্তি 200mm প্রযুক্তির সাথে তুলনা করে?

200mm প্রযুক্তির তুলনায়, 300mm ওয়েফার ব্যবহার করলে প্রতি ওয়েফারে 2.3 গুণ বেশি GaN চিপ উৎপাদন করা যায়, যা উল্লেখযোগ্যভাবে উৎপাদন দক্ষতা এবং আউটপুট বাড়ায়। এই অগ্রগতি শুধুমাত্র পাওয়ার সিস্টেম ফিল্ডে Infineon-এর নেতৃত্বকে একীভূত করে না বরং GaN প্রযুক্তির দ্রুত বিকাশকেও ত্বরান্বিত করে।

Infineon এর সিইও এই অর্জন সম্পর্কে কি বলেছেন?

Infineon Technologies CEO জোচেন হ্যানেবেক বলেছেন, “এই অসাধারণ অর্জন উদ্ভাবনে আমাদের দৃঢ় শক্তি প্রদর্শন করে এবং আমাদের গ্লোবাল টিমের নিরলস প্রচেষ্টার প্রমাণ। আমরা দৃঢ়ভাবে বিশ্বাস করি যে এই প্রযুক্তিগত অগ্রগতি শিল্পের নিয়মগুলিকে নতুন আকার দেবে এবং GaN প্রযুক্তির সম্পূর্ণ সম্ভাবনাকে আনলক করবে। আমাদের GaN সিস্টেম অধিগ্রহণের প্রায় এক বছর পর, আমরা আবারও দ্রুত বর্ধনশীল GaN বাজারে নেতৃত্ব দেওয়ার জন্য আমাদের দৃঢ় সংকল্প প্রদর্শন করছি। পাওয়ার সিস্টেমের একজন নেতা হিসাবে, ইনফাইনন তিনটি মূল উপাদানে একটি প্রতিযোগিতামূলক প্রান্ত অর্জন করেছে: সিলিকন, সিলিকন কার্বাইড এবং GaN।"

Infineon-এর সিইও জোচেন হ্যানেবেক বিশ্বের প্রথম 300mm GaN পাওয়ার ওয়েফারগুলির মধ্যে একটি ধারণ করেছেন যা একটি বিদ্যমান এবং স্কেলযোগ্য উচ্চ-ভলিউম উত্পাদন পরিবেশে উত্পাদিত হয়

কেন 300mm GaN প্রযুক্তি সুবিধাজনক?

300mm GaN প্রযুক্তির একটি উল্লেখযোগ্য সুবিধা হল যে এটি বিদ্যমান 300mm সিলিকন উত্পাদন সরঞ্জাম ব্যবহার করে তৈরি করা যেতে পারে, কারণ উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিতে GaN এবং সিলিকনের মিল রয়েছে৷ এই বৈশিষ্ট্যটি Infineon-কে তার বর্তমান উৎপাদন ব্যবস্থায় নির্বিঘ্নে GaN প্রযুক্তিকে একীভূত করার অনুমতি দেয়, যার ফলে প্রযুক্তির গ্রহণ ও প্রয়োগ ত্বরান্বিত হয়।

Infineon কোথায় সফলভাবে 300mm GaN Wafers উৎপাদন করেছে?

বর্তমানে, Infineon অস্ট্রিয়ার ভিলাচে তার পাওয়ার প্ল্যান্টে বিদ্যমান 300mm সিলিকন উৎপাদন লাইনে সফলভাবে 300mm GaN ওয়েফার তৈরি করেছে। 200mm GaN প্রযুক্তি এবং 300mm সিলিকন উৎপাদনের প্রতিষ্ঠিত ভিত্তির উপর ভিত্তি করে কোম্পানিটি তার প্রযুক্তিগত এবং উৎপাদন ক্ষমতাকে আরও প্রসারিত করেছে।

এই ব্রেকথ্রু ভবিষ্যতের জন্য কি বোঝায়?

এই অগ্রগতি শুধুমাত্র উদ্ভাবন এবং বৃহৎ আকারের উৎপাদন ক্ষমতার ক্ষেত্রে Infineon-এর শক্তিকে হাইলাইট করে না বরং পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের ভবিষ্যত উন্নয়নের জন্য একটি শক্ত ভিত্তিও তৈরি করে। যেহেতু GaN প্রযুক্তি বিকশিত হতে চলেছে, Infineon বাজারের বৃদ্ধিকে চালিত করতে অব্যাহত থাকবে, বিশ্বব্যাপী সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে তার নেতৃত্বের অবস্থানকে আরও উন্নত করবে।**