খবর

GaN শিল্প অ্যাপ্লিকেশন

SiC-ভিত্তিক এবং Si-ভিত্তিক GaN-এর প্রয়োগের ক্ষেত্রগুলি কঠোরভাবে পৃথক করা হয় না। GaN-On-SiC ডিভাইসগুলিতে, SiC সাবস্ট্রেটের খরচ তুলনামূলকভাবে বেশি, এবং SiC লং ক্রিস্টাল প্রযুক্তির ক্রমবর্ধমান পরিপক্কতার সাথে, ডিভাইসটির খরচ আরও কমবে বলে আশা করা হচ্ছে, এবং এটি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের ক্ষেত্রে পাওয়ার ড......

সেমিকন্ডাক্টর গরম করার উপাদান সম্পর্কে

তাপ চিকিত্সা সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ার একটি অপরিহার্য এবং গুরুত্বপূর্ণ প্রক্রিয়া। অক্সিডেশন/ডিফিউশন/অ্যানিলিং ইত্যাদি সহ একটি নির্দিষ্ট গ্যাসে ভরা পরিবেশে স্থাপন করে একটি ওয়েফারে তাপশক্তি প্রয়োগ করার প্রক্রিয়াকে তাপীয় প্রক্রিয়া বলে।

3C-SiC ওয়েফার উৎপাদন শুরু করুন

বাল্ক 3C-SiC-এর তাপ পরিবাহিতা, সম্প্রতি পরিমাপ করা হয়েছে, ইঞ্চি-স্কেলের বড় স্ফটিকগুলির মধ্যে দ্বিতীয়-সর্বোচ্চ, যা হীরার ঠিক নীচে। সিলিকন কার্বাইড (SiC) হল একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর যা ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় এবং এটি পলিটাইপ নামে পরিচিত বিভিন্ন স্ফটিক আকা......

Semicorex 8-ইঞ্চি SiC Epitaxial Wafer ঘোষণা করেছে

তাইওয়ানের PSMC জাপানে 300mm Wafer Fab তৈরি করবে

তাইওয়ানের পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং কর্পোরেশন (PSMC) SBI হোল্ডিংসের সহযোগিতায় জাপানে একটি 300mm ওয়েফার ফ্যাব তৈরির পরিকল্পনা ঘোষণা করেছে৷ এই সহযোগিতার উদ্দেশ্য হল জাপানের গার্হস্থ্য আইসি (ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট) সাপ্লাই চেইনকে শক্তিশালী করা, এআই এজ কম্পিউটিং এবং প্যাকেজিং প্রযুক্তির সা......

SiC এর জন্য CVD কি?